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魏宏源

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

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共 12 条 记 录，以下是 1-10
刘祥林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董向芸
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 不锈钢外壳 氧化锌薄膜 开关时间 生长温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丛光伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：XRD SEM 蓝宝石 晶面 杆状
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵凤瑷
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 半导体量子点 衬底 不锈钢外壳 INP基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦春美
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 衬底 锌源 生长温度 氧化锌薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨少延
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范海波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：协变 衬底 氧化锌薄膜 硅基 衬底材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴洁君
供职机构：北京大学
研究主题：厚膜 氮化物 衬底 籽晶 坩埚
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓沛
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 不锈钢外壳 氧化锌薄膜 开关时间 生长温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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