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刘勇

作品数：3 被引量：5H指数：2
供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇电致发光
  • 3篇电致发光器件
  • 3篇发光
  • 3篇发光器件
  • 2篇氧化硅
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇薄膜电致发光
  • 2篇薄膜电致发光...
  • 2篇SIO
  • 1篇电离
  • 1篇电离率
  • 1篇电子输运
  • 1篇电子输运性质
  • 1篇电子源
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质
  • 1篇隧道效应
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化镉
  • 1篇TFEL

机构

  • 3篇中国科学技术...
  • 2篇中国科学院

作者

  • 3篇夏上达
  • 3篇马义
  • 3篇楼立人
  • 3篇刘勇
  • 2篇刘勇
  • 2篇王平
  • 1篇邝向军
  • 1篇尹民
  • 1篇杨波
  • 1篇杨波
  • 1篇王平

传媒

  • 3篇发光学报

年份

  • 1篇1998
  • 2篇1997
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
薄膜电致发光器件SiO_2加速层的电子输运性质被引量：1
1998年
考虑了非晶效应和非晶无序弹性散射的影响，通过ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟电子在薄膜电致发光器件（ＴＦＥＬ）的ＳｉＯ２加速层的散射过程，从理论上描述了ＳｉＯ２层的加速作用与电流倍增效应，获得了电子平均能量与场强的关系曲线、电离率、电流倍增因子。
马义邝向军刘勇王平尹民楼立人夏上达
关键词：电致发光器件电离率二氧化硅
薄膜电致发光器件中SiO_2层加速机制的研究被引量：3
1997年
研究非晶ＳｉＯ２缺陷能级上电子的隧道效应，移植实验的ＸＰＳ芯能级谱技术，用ＤＶ－Ｘα计算界面ＳｉＯ２／ＺｎＳ的能带断错，认为该界面处的能带断错是电子加速的主要机制．
王平刘勇刘勇杨波马义杨波
关键词：TFEL隧道效应电致发光器件二氧化硅
关于第三代电致发光器件加速层的一些探讨被引量：2
1997年
通过简化的三角势垒模型计算发现在第三代电致发光器件中，ＣｄＳ层确实对提供初电子有利．用计入非晶效应的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法进行模拟计算，证明非晶ＳｉＯ２层比ＺｎＳ层有更好的加速作用，从而有利于提高器件蓝红比．
刘勇刘勇王平楼立人马义
关键词：电致发光器件硫化镉
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