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马义

作品数：6 被引量：19H指数：3
供职机构：中国科学技术大学化学与材料科学学院中国科学院结构分析重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 4篇发光
  • 3篇电致发光
  • 3篇电致发光器件
  • 3篇发光器件
  • 2篇氧化硅
  • 2篇硫化
  • 2篇纳米
  • 2篇晶体
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇薄膜电致发光
  • 2篇薄膜电致发光...
  • 2篇SIO
  • 1篇电离
  • 1篇电离率
  • 1篇电子输运
  • 1篇电子输运性质
  • 1篇电子源
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质
  • 1篇隧道效应

机构

  • 6篇中国科学技术...
  • 3篇中国科学院
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 6篇夏上达
  • 6篇马义
  • 3篇楼立人
  • 3篇刘勇
  • 2篇段昌奎
  • 2篇闫阔
  • 2篇尹民
  • 2篇刘勇
  • 2篇王平
  • 2篇杨波
  • 1篇邝向军
  • 1篇杨波
  • 1篇张慰萍
  • 1篇王平

传媒

  • 4篇发光学报
  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 3篇1997
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
纳米晶体ZnS∶Mn^(2+)发光寿命异常减缩机理的探讨被引量：3
1998年
纳米晶体ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中Ｍｎ２＋粒子４Ｔ１→６Ａ１的发光寿命比晶体减缩了５个量级，这颇令人费解，因为通常解除自旋禁戒的磁作用远无如此强的效应．假定基质态的自旋不为零，且考虑了Ｍｎ２＋的ｄ电子和基质之间的交换库仑作用．若基质存在比Ｍｎ２＋的４Ｔ１激发态能量略高的某种激发态，则这种交换库仑作用将导致这两种激发态之间的混合，从而可解除发光能级弛豫中的自旋禁戒．这种混合随基质颗粒尺寸的减小而加强．我们并对此机制进行粗略的数值估计，给出了和实验相容的结果．
闫阔段昌奎马义马义
关键词：纳米晶体锰硫化锌
掺杂稀土离子发光动力学模型被引量：4
1999年
研究了发光体系中能量传递对发光时间演化的影响．针对以往各种能量传递模型中存在的问题，同时考虑施主受主（ＤＡ）能量传递和施主施主（ＤＤ）能量迁移，将只考虑ＤＡ能量传递的ＩＨ，ＤＨ，ＶＦ模型与考虑到ＤＤ能量迁移的跳跃模型Ｂ分别结合起来，建立了ＩＨＢ，ＤＨＢ，ＶＦＢ三种综合模型．采用这些模型对钾冰晶石（ｅｌｐａｓｏｌｉｔｅ）体系的施主发光激发态占据概率进行数值模拟，给出不同Ｄ、Ａ浓度下及不同ＤＡ，ＤＤ作用强度条件下施主发光的时间演化曲线，发现ＶＦＢ模型给出的曲线最合理．
马义闫阔杨波夏上达
关键词：掺杂稀土离子
薄膜电致发光器件中SiO_2层加速机制的研究被引量：3
1997年
研究非晶ＳｉＯ２缺陷能级上电子的隧道效应，移植实验的ＸＰＳ芯能级谱技术，用ＤＶ－Ｘα计算界面ＳｉＯ２／ＺｎＳ的能带断错，认为该界面处的能带断错是电子加速的主要机制．
王平刘勇刘勇杨波马义杨波
关键词：TFEL隧道效应电致发光器件二氧化硅
关于第三代电致发光器件加速层的一些探讨被引量：2
1997年
通过简化的三角势垒模型计算发现在第三代电致发光器件中，ＣｄＳ层确实对提供初电子有利．用计入非晶效应的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法进行模拟计算，证明非晶ＳｉＯ２层比ＺｎＳ层有更好的加速作用，从而有利于提高器件蓝红比．
刘勇刘勇王平楼立人马义
关键词：电致发光器件硫化镉
纳米X_1-Y_2SiO_5: Eu_(3+)发光光谱的理论研究被引量：7
1997年
从晶体结构参数和Ｅｕ３＋离子等的物性参数出发，用Ｆａｕｃｈｅｒ的静电模型，计及远程环境影响，且用自洽求解方法确定配位离子的诱导电偶极矩，系统地计算了纳米晶Ｘ１Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ３＋的晶场参数，并延伸此模型用于跃迁强度计算．给出了在Ｃ１对称下与实验相当一致的光谱。
段昌奎夏上达张慰萍尹民马义
关键词：纳米晶体结构发光光谱
薄膜电致发光器件SiO_2加速层的电子输运性质被引量：1
1998年
考虑了非晶效应和非晶无序弹性散射的影响，通过ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟电子在薄膜电致发光器件（ＴＦＥＬ）的ＳｉＯ２加速层的散射过程，从理论上描述了ＳｉＯ２层的加速作用与电流倍增效应，获得了电子平均能量与场强的关系曲线、电离率、电流倍增因子。
马义邝向军刘勇王平尹民楼立人夏上达
关键词：电致发光器件电离率二氧化硅
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