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溅射气体和基板偏压对溅射Al_2O_3薄膜内应力和密度的影响: 1996年; 在纯Ar和Ar＋10％O2两种工作气体及不同基极偏压条件下，用射频溅射方法制备了Al2O3薄膜，测量了每个样品的内应力和密度，并对部分样品用X射线光电子谱进行了结构分析。结果表明，薄膜呈非晶态，薄膜的内应力均为压应力，并给出了气体种类和们压对膜的密度和应力的影响。; 章吉良李明杨春生赵小林宋柏泉; 关键词：射频溅射内应力氧化铝

溅射条件对Al_2O_3薄膜介电强度和沉积速率的影响: 1995年; 用射频溅射方法，在不同工作气体（纯Ａｒ和Ａｒ＋１０％Ｏ＿２）和不同基片偏压（－３０Ｖ到－１８０Ｖ，间隔－３０Ｖ）下，由烧结Ａｌ＿２Ｏ＿３靶材制备Ａｌ＿２Ｏ＿３薄膜。测试了样品的介电强度和沉积速率，对部分样品的结构和成份分别用ＸＰＳ和Ｘ射线进行了分析。结果表明：薄膜均呈非晶态；在两种工作气体中，随着基片负偏压的升高，沉积速率和介电强度均下降，但在－６０Ｖ偏压时，介电强度具有最大值。含氧的工作气体导致沉积速率下降，但提高了介电强度。在含氧和－６０Ｖ偏压下，Ａｌ＿２Ｏ＿３薄膜的平均介电强度为３．４６ＭＶ／ｃｍ。纯氩气氛中制备的Ａｌ＿２Ｏ＿３薄膜是缺氧的，而含氧的工作气体可使薄膜中的氧含量提高。; 章吉良李明杨春生赵小林宋柏泉; 关键词：射频溅射介电强度沉积速率氧化铝薄膜

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李明