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何秀坤

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：峨嵋半导体材料厂更多>>
相关领域：语言文字电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇标准

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇语言文字

主题

  • 3篇砷化镓
  • 3篇红外
  • 3篇半导体
  • 3篇硅
  • 3篇碳
  • 2篇光谱
  • 2篇红外辐射
  • 2篇半导体材料
  • 1篇单晶
  • 1篇碳含量
  • 1篇体硅
  • 1篇中碳
  • 1篇显微镜
  • 1篇晶体
  • 1篇光谱分析
  • 1篇光谱研究
  • 1篇硅中氧
  • 1篇红外吸收
  • 1篇付里叶变换
  • 1篇半导体硅

机构

  • 6篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇峨嵋半导体材...
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 7篇何秀坤
  • 3篇李光平
  • 2篇汝琼娜
  • 2篇李静
  • 1篇李光平
  • 1篇李静
  • 1篇段曙光

传媒

  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇第五届华北、...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
薄片Ｓｉ－ＧａＡｓ单晶中碳含量的显微红外光谱测量方法研究
何秀坤王琴
关键词：单晶砷化镓红外辐射光谱分析
近代低温FT-IR技术及其在半导体分析中的应用
李光平何秀坤王琴
关键词：半导体材料
硅中氧、碳微区测量技术的研究
硅半导体超大规模集成电路的高速发展对硅材料质量也提出了更高的要求。硅单晶中间隙氧为电中性非金属杂质,主要显非电活性,氧的"钉扎"作用可使硅晶体机械强度提高,但是经热处理后,氧从电中性变为浅施主,对器件产生有害的影响。硅中...
汝琼娜李光平何秀坤李静
关键词：碳含量
文献传递
半导体硅特性显微FTIR测量技术研究
1994年
本文针对大规模集成电路应用需要，采用显微付里叶变换红外光谱仪研究了硅中的氧、碳含量，硼、磷硅玻璃中的硼、磷含量及外延层厚度的微区测量技术，在光孔尺寸为１００×１００μｍ级时，测量精度达到国标的要求，空间分辨率提高了近两个数量级。
李光平汝琼娜李静何秀坤
关键词：半导体材料硅显微镜
ＭＢＥ ＧａＡｓ／Ａｌ＃-[1-x] ＧａｘＡｓ量子阱的付里叶变换反射光谱研究
王琴何秀坤
关键词：砷化镓红外辐射
近代低温FT-IR技术及其在半导体分析中的应用
李光平何秀坤王琴
关键词：半导体化学硅氧砷化镓碳
硅中代位碳原子含量.红外吸收测量方法
本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。本标准适用于电阻率高于3Ω?CM的P型硅片及电阻率高于1Ω?CM的N型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率高于0.1Ω?CM的硅片中代位碳...
何秀坤李静段曙光梁洪
关键词：半导体晶体硅碳
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