张磊
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究（英文）被引量：3
- 2015年
- InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀。研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基,Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果,SEM结果表明,CH4基组分能够得到更加平整的表面形貌和更少的腐蚀坑;之后采用湿法腐蚀工艺,用于消除干法刻蚀带来的刻蚀损伤,分别研究了酒石酸系和磷酸系两种腐蚀溶液的去损伤效果,结果表明,磷酸系腐蚀液的去损伤效果更好,且腐蚀速率更加稳定。采用优化的台面工艺制备了InAs/GaSb SLs探测器,其I-V特性曲线表明二极管具有较低的暗电流,其77 K时动态阻抗R0A=1.98×104Ωcm2。
- 姚官生张利学张向锋张亮张磊
- 关键词：INAS/GASB超晶格干法刻蚀湿法腐蚀
