姚官生
- 作品数：24 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：中国航空科学基金中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术一般工业技术化学工程更多>>
- 化学沉淀法制备硒化铅薄膜被引量：3
- 2009年
- 采用化学沉淀的方法沉淀PbSe薄膜,分别加入缓冲剂联氨(方法A)和碘化钾(方法B)。对反应原理进行了分析,对制备过程进行了优化,分别制备出了高质量的PbSe薄膜。采用XRD、SEM、EDS以及红外光谱测试对所制备样品进行了分析。结果表明,两种方法制备均为PbSe多晶薄膜,方法A制备薄膜结晶质量更好,择优生长方向明显;薄膜颗粒度、表面粗糙度都小于方法B;两种薄膜的Pb元素与Se元素比例接近化学计量比,方法B含有少量I元素;两种方法制备样品的吸收边相对带边跃迁都发生蓝移。
- 姚官生司俊杰陈凤金
- 关键词：硒化铅化学沉淀光导
- GaAs/AlGaAs HEMT材料的结构与电学性能研究
- 本文采用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上成功制备出了高质量GaAs/AlxGa1-xAs HEMT(高电子迁移率晶体管)材料。研究表明,该材料室温下电子迁移率为7950cm2/V·s,面电子浓度为6.2...
- 姚官生
- 关键词：分子束外延高电子迁移率晶体管GAAS/ALXGA1-XAS
- 文献传递
- InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究（英文）被引量：3
- 2015年
- InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀。研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基,Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果,SEM结果表明,CH4基组分能够得到更加平整的表面形貌和更少的腐蚀坑;之后采用湿法腐蚀工艺,用于消除干法刻蚀带来的刻蚀损伤,分别研究了酒石酸系和磷酸系两种腐蚀溶液的去损伤效果,结果表明,磷酸系腐蚀液的去损伤效果更好,且腐蚀速率更加稳定。采用优化的台面工艺制备了InAs/GaSb SLs探测器,其I-V特性曲线表明二极管具有较低的暗电流,其77 K时动态阻抗R0A=1.98×104Ωcm2。
- 姚官生张利学张向锋张亮张磊
- 关键词：INAS/GASB超晶格干法刻蚀湿法腐蚀
- 一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法
- 本发明涉及一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法，该方法通过仅有的一次掩膜光刻形成微透镜最内层环带，然后通过负性光刻胶背面曝光显影用作掩膜层，再经腐蚀、背面曝光显影，刻蚀形成基底的图形，然后进行循环得到按次序从...
- 侯治锦司俊杰韩德宽陈洪许吕衍秋丁嘉欣张向锋姚官生王理文杨雪峰耿东锋
- 文献传递
- 一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片
- 本发明涉及一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片，属于半导体光电探测器制造技术领域。本发明的InAlSb芯片的制备方法包括以下步骤：1)在InAlSb基底上制备掩膜层，在掩膜层上光刻掩膜图形，得图形基底；2)采...
- 陶飞何英杰张向锋李墨彭震宇丁嘉欣姚官生张亮曹先存吕衍秋朱旭波张利学
- 文献传递
- 一种红外探测器
- 本发明涉及一种红外探测器。红外探测器包括基体以及短波红外光敏芯片、中波红外光敏芯片、芯片支架，中波红外光敏芯片设置于基体上，短波红外光敏芯片通过芯片支架设置于中波红外光敏芯片的上方，且短波红外光敏芯片的感光区域与中波红外...
- 陶飞吕衍秋张向峰何英杰丁佳欣姚官生曹先存李墨张亮朱旭波
- 文献传递
- 短波红外纳米PbSe薄膜制备及光电性能研究被引量：2
- 2011年
- 采用化学沉淀的方法在石英衬底上制备了短波红外纳米PbSe薄膜。XRD,SEM,TEM以及红外透射光谱测试分析结果表明,所制备的PbSe薄膜为纳米多晶薄膜,表面平整致密,薄膜的晶粒尺寸为10 nm左右,由于量子效应,薄膜吸收截止边相对PbSe体材料蓝移至1.6μm;经过敏化、光刻及金属化制备了PbSe单元光导探测器,在室温下进行光谱测试,其响应波段为0.6~1.5μm。
- 姚官生司俊杰陈凤金孟超
- 关键词：硒化铅光导探测器光谱响应
- 一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法
- 本发明涉及一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法，该方法通过仅有的一次掩膜光刻形成微透镜最内层环带，然后通过负性光刻胶背面曝光显影用作掩膜层，再经腐蚀、背面曝光显影，刻蚀形成基底的图形，然后进行循环得到按次序从...
- 侯治锦司俊杰韩德宽陈洪许吕衍秋丁嘉欣张向锋姚官生王理文杨雪峰耿东锋
- 文献传递
- 一种三色探测器
- 本发明三色探测器属于多光谱探测器技术，涉及对现有紫外/红外双色和短波红外/中波红外双波段探测器的进一步改进和开拓。本发明三色探测器包括一个宝石窗口[1]、窗口支架[2]、紫外光敏芯片[3]、短波红外光敏芯片[4]、中波红...
- 吕衍秋张向锋丁嘉欣姚官生张小雷沈祥伟张磊张亮鲁正雄
- 一种紫外/红外双色探测器及其制造方法
- 本发明属于半导体光电探测器制造技术，特别涉及一种CdS/InSb双色探测器的结构及其制造方法。所述紫外/红外双色探测器包括InSb电极[1]、InSb探测器[5]、钝化层[4]、CdS光敏薄膜[2]和CdS电极[3]，其...
- 姚官生吕衍秋张向锋张小雷张亮曹先存张磊沈祥伟丁嘉欣王锦春鲁正雄
