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于新海

作品数:13 被引量:10H指数:2
供职机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 3篇学位论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇有机绝缘
  • 3篇绝缘
  • 3篇槽栅
  • 3篇场板
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪放
  • 2篇低噪声
  • 2篇电极
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇亚微米
  • 2篇噪声系数
  • 2篇粘接
  • 2篇深亚微米
  • 2篇收发
  • 2篇收发器
  • 2篇旁边
  • 2篇平均功率
  • 2篇迁移率
  • 2篇注入信号
  • 2篇微米

机构

  • 13篇西安电子科技...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇西藏民族大学

作者

  • 13篇于新海
  • 10篇杨银堂
  • 10篇柴常春
  • 7篇刘阳
  • 7篇史春蕾
  • 4篇杨琦
  • 4篇孙斌
  • 4篇陈鹏远
  • 2篇刘阳
  • 1篇乔丽萍
  • 1篇吴晓鹏
  • 1篇席晓文
  • 1篇刘胜北
  • 1篇高海霞
  • 1篇董刚

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 2篇2017
  • 5篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2013
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CMOS反相器和GaAs HEMT器件的HPM效应研究
高功率微波(high power microwave,HPM)极易通过耦合途径作用到电子系统上,并导致其发生扰乱、退化甚至损伤效应,给电子系统带来极大威胁。HPM技术的不断发展使得这种威胁持续升级。微电子元器件是电子系统...
于新海
关键词:高功率微波CMOS反相器高电子迁移率晶体管
一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法
本发明公开了一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法,其包括以下步骤:一、构建测试平台;二、构造注入信号:三、测试:(1)测量待测样品的小信号S参数|S<Sub>21</Sub>|和噪声系数NF,(2)对待测样品持...
柴常春于新海杨银堂史春蕾刘阳樊庆扬
文献传递
复合阶梯场板槽栅AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及其制作方法
一种复合阶梯场板槽栅AlGaN/GaN?HEMT器件结构及其制作方法,包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、本征AlGaN层和AlGaN掺杂层,在AlGaN掺杂层之上的两端分别设有源电极和...
柴常春陈鹏远杨琦杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾孙斌
文献传递
运用动态衬底电阻技术的自衬底触发ESD保护器件及应用
本发明公开了一种运用动态衬底电阻技术的自衬底触发ESD保护器件及其应用,多叉指MOS晶体管由多个并联的指状结构构成,其中每一个叉指均存在一个寄生的横向三极管,并且各寄生横向三极管集电极通过共漏极线耦接于集成电路的I/O端...
吴晓鹏于新海杨银堂柴常春高海霞董刚
文献传递
近距离自由空间光互连光收发器的对准方法
本发明公开了一种近距离自由空间光互连光收发器的安装对准方法,主要解决了激光发射器与激光接收器的安装对准问题。其实现过程是:首先确定光收发器的封装参数,其次根据其参数制作对准支架,然后将激光发射器和激光接收器粘接于对准支架...
柴常春孙斌陈鹏远杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾杨琦
文献传递
GaN高电子迁移率晶体管强电磁脉冲损伤效应与机理被引量:5
2016年
提出了一种新型GaN异质结高电子迁移率晶体管在强电磁脉冲下的二维电热模型,模型引入材料固有的极化效应,高场下电子迁移率退化、载流子雪崩产生效应以及器件自热效应,分析了栅极注入强电磁脉冲情况下器件内部的瞬态响应,对其损伤机理和损伤阈值变化规律进行了研究.结果表明,器件内部温升速率呈现出"快速-缓慢-急剧"的趋势.当器件局部温度足够高时(2000 K),该位置热电子发射与温度升高形成正反馈,导致温度急剧升高直至烧毁.栅极靠近源端的柱面处是由于热积累最易发生熔融烧毁的部位,严重影响器件的特性和可靠性.随着脉宽的增加,损伤功率阈值迅速减小而损伤能量阈值逐渐增大.通过数据拟合得到脉宽τ与损伤功率阈值P和损伤能量阈值E的关系.
刘阳柴常春于新海樊庆扬杨银堂席晓文刘胜北
关键词:GAN高电子迁移率晶体管
浑亚微米GGNMOS的ESD防护特性研究
随着集成电路技术的发展,新工艺不断出现,特征尺寸不断减小,ESD保护结构的设计面临更多挑战。因此深入研究GGNMOSESD防护特性及其影响因素成为必要。  本文利用混合仿真方法对GGNMOS器件在ESD脉冲下的瞬态特性进...
于新海
关键词:静电释放深亚微米
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近距离自由空间光互连光收发器的对准方法
本发明公开了一种近距离自由空间光互连光收发器的安装对准方法,主要解决了激光发射器与激光接收器的安装对准问题。其实现过程是:首先确定光收发器的封装参数,其次根据其参数制作对准支架,然后将激光发射器和激光接收器粘接于对准支架...
柴常春孙斌陈鹏远杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾杨琦
文献传递
一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法
本发明公开了一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法,其包括以下步骤:一、构建测试平台;二、构造注入信号:三、测试:(1)测量待测样品的小信号S参数|S<Sub>21</Sub>|和噪声系数NF,(2)对待测样品持...
柴常春于新海杨银堂史春蕾刘阳樊庆扬
槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及制作方法
一种复合栅浮空场板槽栅AlGaN/GaN?HEMT器件结构及其制作方法,包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、本征AlGaN层和AlGaN掺杂层,在AlGaN掺杂层之上的两端分别设有源电极...
柴常春杨琦陈鹏远杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾孙斌
文献传递
共2页<12>
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