2024年12月25日
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杨银堂
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1,623
被引量:1,654
H指数:16
供职机构:
西安电子科技大学
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朱樟明
西安电子科技大学微电子学院微电...
段宝兴
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
董刚
西安电子科技大学微电子学院微电...
柴常春
西安电子科技大学微电子学院微电...
刘帘曦
西安电子科技大学微电子学院微电...
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作者
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杨银堂
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董刚
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刘帘曦
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2007
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2006
58篇
2005
共
1,623
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基于伪随机码的随机化通道校准方法和系统
本发明公开了一种基于伪随机码的随机化通道校准方法和系统,用于多通道时域交织模数转换器,所述方法包括:在多通道时域交织模数转换器的M路标准通道之外增加ΔM路随机化通道,形成M+ΔM路通道;产生对M+ΔM个通道进行通道选择的...
任晓倩
刘术彬
朱樟明
杨银堂
一种基于深度学习的红外图像非均匀性校正方法
本发明涉及一种基于深度学习的红外图像非均匀性校正方法,包括:构建第一多尺度特征提取单元;根据所述第一多尺度特征提取单元构建M个多尺度特征提取单元,形成偏置校正网络;根据所述第一多尺度特征提取单元构建N个多尺度特征提取单元...
赖睿
官俊涛
徐昆然
李奕诗
王东
杨银堂
王炳健
周慧鑫
秦翰林
文献传递
具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方法
本发明提出了一种具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该LDMOS器件的主要是将碳化硅材料与硅材料结合,在碳化硅衬底上通过异质外延技术或键合技术形成硅外延层,并采用深漏区结构,漏区...
段宝兴
黄芸佳
王彦东
杨鑫
孙李诚
杨银堂
文献传递
用于PFM模式升压型DC-DC转换器的自适应导通时间控制电路
本发明提供一种适用于PFM模式的升压型DC‑DC转换器的自适应导通时间控制电路(10),包括输入电压采样与偏置模块(100)、电容充放电模块(101)及电压比较与逻辑产生模块(102);其中,所述输入电压采样与偏置模块(...
刘帘曦
廖栩锋
黄文斌
杨银堂
朱樟明
文献传递
基于光互连的并行访问存储系统
本发明公开了一种基于光互连的并行访问存储系统,主要解决现有电总线存储系统访问带宽低,访问延时大,面积开销大,板级电路数据速率低的问题。其包括光传输层(101)和存储层(103),光传输层上设有光发射器,光接收器,U形波导...
顾华玺
王康
杨银堂
陈可
王小鹭
文献传递
一种两阶段TSV智能热力协同优化方法
本申请涉及集成电路领域,具体提供了一种两阶段TSV智能热力协同优化方法,该方法包括如下步骤:S1,构建模型,并确定最佳网格尺寸;S2,粗网格低精度快速优化;S3,细网格高精度精确优化;S4,最优参数的输出和验证。本发明提...
单光宝
张艺潇
李国良
郑彦文
杨子锋
杨银堂
一种N型硅基宽禁带材料及其制作方法
本发明公布一种N型硅基宽禁带材料及其制作方法,已解决现有N型硅半导体材料禁带宽度较小问题。其基本单元是基于Si晶胞的Si<Sub>x</Sub>C<Sub>y</Sub>P<Sub>z</Sub>超晶胞,x+y+z=1,...
段宝兴
王雨龙
杨银堂
文献传递
一种具有变K介质侧边的VDMOS器件
本发明公开一种具有变K介质侧边的VDMOS器件,该新型结构通过依次填充多种不同介电常数(K值)的介质构成的侧边层产生新的电场峰,调制了VDMOS高阻漂移区的电场分布,增强了横向电场调制效应,使漂移区可以进行更高浓度的掺杂...
袁嵩
段宝兴
蔡海
杨银堂
文献传递
n-SiC欧姆接触的研究进展
在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题。此后又介绍了一些其他金属与n-SiC形成的欧姆接触,反映了n型SiC欧姆接触发展现状,多种不同的表面处理、掺杂方式和金属结...
张娟
柴常春
杨银堂
贾户军
关键词:
金属结构
掺杂
文献传递
一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源
被引量:6
2008年
提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源.电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器,而是采用负反馈技术实现电压箝位,简化了电路结构;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比.整个电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-45℃-125℃范围内的温度系数为12.9×10^-6/℃,频率为10 Hz时的电源抑制比为67.2 dB.该结构可应用于高速模数转换器的设计中.
曹寒梅
杨银堂
蔡伟
陆铁军
王宗民
关键词:
带隙电压基准源
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