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余汉祥

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 3篇相变
  • 2篇电极
  • 2篇微电极
  • 2篇小孔
  • 2篇环状
  • 1篇热学性能
  • 1篇相变存储
  • 1篇相变存储器
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘层
  • 1篇存储器
  • 1篇存储器单元

机构

  • 3篇华中科技大学

作者

  • 3篇余汉祥
  • 2篇张瑾
  • 2篇缪向水
  • 2篇童浩
  • 2篇程晓敏
  • 2篇马轩

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种非对称环状微电极相变存储单元及器件
本发明公开了一种非对称环状微电极相变存储单元及器件，包括由下至上的下电极层、第一绝缘层、相变功能层、第二绝缘层、上电极层；第一绝缘层开有小孔，小孔内为金属环状侧壁和绝缘芯；相变功能层通过第一绝缘层小孔内的金属环状侧壁与下...
程晓敏张瑾马轩余汉祥顾伟童浩缪向水
文献传递
非对称纳米接触相变存储器单元制备工艺研究
相变存储器具有非易失性、存储密度高、擦写速度快、可靠性高、抗辐射等性能优势，被认为最有可能取代Flash成为下一代主流非易失性存储器。对于相变存储器来说，目前影响其发展的最大瓶颈即编程脉冲过大，导致器件功耗过大。因此，研...
余汉祥
关键词：相变存储器
一种非对称环状微电极相变存储单元及器件
本发明公开了一种非对称环状微电极相变存储单元及器件，包括由下至上的下电极层、第一绝缘层、相变功能层、第二绝缘层、上电极层；第一绝缘层开有小孔，小孔内为金属环状侧壁和绝缘芯；相变功能层通过第一绝缘层小孔内的金属环状侧壁与下...
程晓敏张瑾马轩余汉祥顾伟童浩缪向水
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