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程晓敏

作品数：163 被引量：43H指数：4
供职机构：华中科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 133篇专利
  • 24篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 32篇自动化与计算...
  • 18篇一般工业技术
  • 13篇理学
  • 9篇电气工程
  • 7篇金属学及工艺
  • 7篇电子电信
  • 5篇文化科学
  • 2篇化学工程
  • 1篇矿业工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 56篇存储器
  • 48篇相变存储
  • 43篇相变存储器
  • 35篇电极
  • 25篇相变
  • 24篇晶格
  • 23篇相变材料
  • 23篇超晶格
  • 15篇电子器件
  • 15篇微电子
  • 14篇微电子器件
  • 13篇SUB
  • 13篇掺杂
  • 12篇导电丝
  • 12篇隧道结
  • 11篇纳米
  • 11篇晶化
  • 10篇非晶
  • 10篇磁隧道结
  • 7篇读写

机构

  • 162篇华中科技大学
  • 2篇华中师范大学
  • 1篇山西师范大学
  • 1篇长江存储科技...

作者

  • 162篇程晓敏
  • 138篇缪向水
  • 23篇童浩
  • 22篇冯金龙
  • 19篇杨晓非
  • 13篇黄婷
  • 12篇李佐宜
  • 9篇王升
  • 8篇张瑾
  • 8篇鄢俊兵
  • 7篇程伟明
  • 7篇李震
  • 6篇刘辉
  • 6篇何强
  • 6篇黄致新
  • 6篇晋芳
  • 6篇连晨
  • 5篇董凯锋
  • 4篇李凯
  • 4篇葛翔

传媒

  • 5篇功能材料
  • 3篇稀有金属材料...
  • 2篇中国有色金属...
  • 2篇磁性材料及器...
  • 2篇信息记录材料
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇光学技术
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇材料导报
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇计算机与数字...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇纳米科技
  • 1篇第六届中国国...

年份

  • 15篇2024
  • 23篇2023
  • 17篇2022
  • 22篇2021
  • 8篇2020
  • 11篇2019
  • 7篇2018
  • 6篇2017
  • 9篇2016
  • 5篇2015
  • 6篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 11篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
共 163 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于多采样频率的磁电阻效应测试方法研究
2005年
磁电阻效应特性曲线是一个具有脉冲特性的非线性曲线 ,在滤波和多采样频率间制定一个最优方案 ,可以改善磁电阻效应的测试。测量结果表明 ,该方法明显改善了磁电阻特性曲线 ,特别是在峰值或谷值附近 。
李震李佐宜杨晓非王鲜然黄致新程晓敏晋芳
关键词：磁电阻效应采样频率脉冲特性参数估计
一种透明的自选色的异质结忆阻器及其制备方法
本发明公开了一种透明的自选色的异质结忆阻器及其制备方法，属于集成微电子器件技术领域。异质结忆阻器包括：透明衬底，附着于透明衬底上的透明下电极，附着于透明下电极上的功能层，以及附着于功能层上的透明上电极；功能层由氧化物和Z...
程晓敏朱云来何柱力李瀚曾运韬缪向水
文献传递
一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器，包括依次连接的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极，还包括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层，第二自由层的横截面积小于自由层的横截面积；第二自由层和第一自...
缪向水倪含程晓敏
文献传递
一种氮化硅电荷俘获型忆阻器及其制备方法
本申请公开了一种氮化硅电荷俘获型忆阻器及其制备方法，其中，该忆阻器中的功能层设置为三层，上下两层为SiO<Sub>2</Sub>，中间层为SiN<Sub>X</Sub>；忆阻器通过低温退火工艺处理，使得功能层中的SiN<...
程晓敏冯少鹏罗云皓缪向水
基于晶格匹配的化合物掺杂Ge-Sb-Te相变材料和相变存储器
本发明提供了一种基于晶格匹配的化合物掺杂Ge‑Sb‑Te相变材料和相变存储器，属于微纳米电子技术领域，其化学式为(MA)<Sub>x</Sub>(Ge‑Sb‑Te)<Sub>1‑x</Sub>，其中，MA为面心立方结构的...
程晓敏曾运韬李凯缪向水
基于氮掺杂Ge-Sb-Te材料的同质光电储备池计算系统
本申请公开了一种基于氮掺杂Ge‑Sb‑Te材料的同质光电储备池计算系统。本申请系统包括相互连接的光电储备池层和读出层；所述光电储备池层包括多个基于氮掺杂Ge‑Sb‑Te材料的光突触器件，所述光突触器件基于对单光脉冲的光电...
程晓敏赵鹏缪向水
直波导型相变全光布尔逻辑器件及其全二元逻辑实现方法
本发明提供一种直波导型相变全光布尔逻辑器件及其全二元逻辑实现方法，包括直波导结构，覆盖于波导上方的相变功能单元及其保护层，波导布拉格光栅结构；逻辑实现方法上，使用光脉冲从器件两端分别输入，对相变功能单元状态进行调制：设定...
程晓敏何柱力朱云来李瀚缪向水
文献传递
能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]n材料
本发明公开了一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]n材料，在初始超晶格[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]n材料中加...
程晓敏夏泽瑛张瑾冯金龙童浩缪向水
文献传递
可重构的异质结忆阻器、调控方法、制备方法及其应用
本发明公开了可重构的异质结忆阻器、调控方法、制备方法及其应用，属于微纳米电子器件领域。本发明设计的功能层以n‑AgO和p‑Ag<Sub>2</Sub>O的PN异质结或者以n‑CuO<Sub>2</Sub>和p‑CuO的P...
程晓敏李浩斌罗云皓缪向水
磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]<Sub>n</Sub>晶体结构模型的构建方法
本发明公开了一种磁性原子掺杂的超晶格材料[GeTe/Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>]<Sub>n</Sub>晶体结构模型的构建方法，包括如下步骤：第一步，建立超晶格材料[GeTe/Sb<Sub>...
程晓敏夏泽瑛张瑾冯金龙童浩缪向水
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