您的位置： 专家智库 > >

常永伟

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇离子注入
  • 1篇高阻
  • 1篇共面
  • 1篇共面波导
  • 1篇SOI
  • 1篇SOI衬底
  • 1篇波导
  • 1篇衬底
  • 1篇TR

机构

  • 1篇上海科技大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 1篇费璐
  • 1篇程实
  • 1篇魏星
  • 1篇常永伟

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
改性离子注入高阻SOI衬底的共面波导特性研究
2017年
因良好的射频性能,高阻SOI(High-Resistivity Silicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-Plane Waveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(Parasitic Surface Conductance,PSC),射频性能恶化。设计并制备了一种新型的改性结构来优化高阻SOI的射频性能,通过将硅离子注入到绝缘埋层中来消除表面寄生电导效应。在0~8 GHz范围内,传输线损耗优于时下业界最先进的TR-SOI的结果(Trap-Rich Layer Silicon-on-Insulator)。由于工艺简单,易于集成化,是极具潜力的射频SOI材料。
程实常永伟魏星费璐
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0