您的位置： 专家智库 > >

杨兴

作品数：5 被引量：13H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇氮化镓
  • 3篇功率管
  • 2篇微波功率管
  • 2篇晶体管
  • 2篇S波段
  • 2篇GAN
  • 2篇场板
  • 2篇W
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇迁移率
  • 1篇内匹配
  • 1篇金属-氧化物...
  • 1篇基站
  • 1篇功率
  • 1篇功率合成
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇高线性
  • 1篇半导体
  • 1篇P波段

机构

  • 5篇南京电子器件...
  • 2篇华莹电子有限...
  • 1篇南京国博电子...

作者

  • 5篇杨兴
  • 2篇李忠辉
  • 2篇钟世昌
  • 2篇陈堂胜
  • 2篇陈韬
  • 1篇刘洪军
  • 1篇徐永刚
  • 1篇钱峰
  • 1篇王佃利
  • 1篇蒋浩
  • 1篇彭大青
  • 1篇刘柱
  • 1篇魏星

传媒

  • 5篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
S波段200 W硅LDMOS功率管研制被引量：1
2019年
研制了具有高频高增益特性的硅LDMOS芯片,采用0.35μm精细栅实现高频率性能,CoSi2/PolySi栅工艺技术降低电阻,Ti/W金属场板优化漂移区电场分布降低反馈电容,并采用等平面工艺技术提高芯片一致性。采取参数仿真优化内匹配设计,并通过多个LDMOS芯片合成实现大功率输出。最终实现的S波段大功率硅LDMOS器件性能为:在32 V工作电压,3.1~3.5 GHz频带内,300μs脉宽,15%占空比的工作条件下,输出功率大于200 W,增益大于9 dB,效率大于42%。
刘洪军赵杨杨鞠久贵杨兴王佃利杨勇
关键词：S波段功率管
基站应用高线性高效率50 V GaN HEMT
2017年
报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压50V,在2.3~2.7GHz带内峰值输出功率280 W,功率附加效率>64%,线性度-30dBc@PAR=5dB,器件抗失配比(VSWR)至5∶1,器件性能可以满足未来基站多频段多载波应用需要。可靠性试验结果表明,研制的器件在150℃下平均工作寿命(MTTF)>4×10~6 h,满足系统应用需要。
陈韬陈志勇蒋浩魏星杨兴陈新宇李忠辉陈堂胜
关键词：氮化镓微波功率管场板
0.3～2.0 GHz 100 W GaN超宽带功率放大器被引量：7
2018年
基于南京电子器件研究所0.25μm GaN HEMT工艺平台,设计了一款0.3~2.0GHz 100 W GaN超宽带功率放大器。GaN HEMT器件的射频参数由负载牵引系统测定,包括最大功率匹配阻抗和最大效率匹配阻抗。放大器用同轴巴伦结构实现超宽带匹配,用高介电常数介质板材制作匹配电路,实现放大器的小型化。放大器偏置电压28V,偏置电流0.5A。测试结果显示,在0.3~2GHz带宽内,放大器小信号增益平坦度小于±1.3dB。典型输出功率大于100 W,最小输出功率90 W,饱和功率增益大于9dB,功率平坦度小于±1.2dB,漏极效率大于50%。
徐永刚杨兴钟世昌
S波段150W GaN内匹配功率放大器被引量：2
2014年
介绍了一种s波段150WGaN内匹配功率放大器。器件采用0．25μm工艺GaNHEMT管芯，内匹配技术对单胞放大器进行输入输出匹配，然后用Wilkinson功率分配器对四路单胞功率放大器进行功率合成。放大器频带范围2．7～3．5GHz。工作电压28V，占空比10％，脉宽0．1ms。单胞放大器输入功率37dBm，输出功率46．5dBm以上，功率附加效率大于50％；合成放大器输入功率43dBm，输出功率51．8dBm（150w）以上，功率附加效率超过40％。
杨兴钟世昌钱峰
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管内匹配功率合成
P波段超大功率50V GaN HEMT被引量：3
2016年
报道了0.5μm工艺千瓦级GaN HEMT器件在P波段应用。通过采用AlN插入层,大幅降低了器件在大功率工作时的漏电,同时大幅提高器件输出功率密度。同时通过对背势垒结构缓冲层的优化,提高了器件击穿电压,从而提高器件抗失配比(VSWR)至5∶1。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,采用0.5μm栅长工艺制作。器件工作电压为50V,在P波段峰值输出功率1 500 W,漏极效率72%。
陈韬刘柱王琪顾黎明景少红杨兴李忠辉彭大青陈堂胜
关键词：氮化镓微波功率管场板
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0