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徐永刚

作品数：7 被引量：17H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 3篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 5篇晶体管
  • 4篇内匹配
  • 4篇功率
  • 4篇功率放大
  • 4篇GAN
  • 3篇C波段
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇功率放大模块
  • 2篇功率放大器
  • 2篇放大器
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇大功率
  • 2篇高功率
  • 1篇电路
  • 1篇砷化镓
  • 1篇匹配电路
  • 1篇微波功率放大...

机构

  • 7篇南京电子器件...

作者

  • 7篇徐永刚
  • 4篇钟世昌
  • 3篇唐世军
  • 2篇蔡昱
  • 2篇任春江
  • 2篇陈堂胜
  • 2篇王义
  • 2篇陈辰
  • 1篇陈韬
  • 1篇陈晓青
  • 1篇杨兴

传媒

  • 2篇电子与封装
  • 2篇2010年全...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 3篇2018
  • 4篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
C波段GaAs大功率内匹配晶体管的研制
微波功率放大器作为通信系统中的关键部件之一,在电子对抗、雷达、导航等系统中有着广泛的应用。而内匹配晶体管作为构建微波功率放大器的一种重要元器件,近年来发展速度很快,器件的输出功率和效率迅速提高。报道了一种为C波段应用而研...
徐永刚蔡昱王义
关键词：砷化镓内匹配大功率
文献传递
高功率GaN微波功率放大模块及其应用
采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增...
唐世军徐永刚陈堂胜任春江钟世昌陈辰
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大模块
文献传递
S波段宽带大功率内匹配器件设计被引量：4
2018年
针对S波段宽带大功率内匹配功率放大器,开展了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试等研究工作。管芯的输入输出阻抗通过负载牵引及模型技术提取,宽带功率分配器及合成器电路采用二项式多节阻抗匹配变换器实现。内匹配器件测试结果表明,在输入连续波信号和28 V漏极工作电压条件下,器件在2.0~4.0 GHz带内实现大于100 W的输出功率和大于45%的漏极效率,其中最高输出功率和最大漏极效率分别达到150W和65%,带内功率增益大于9d B,功率起伏小于1.8d B。
徐永刚李飞钟世昌
关键词：宽带大功率内匹配
高功率GaN微波功率放大模块及其应用
采用GaN微波功率HEMT0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 v工作电压下。饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益...
唐世军徐永刚陈堂胜任春江钟世昌陈辰
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大模块匹配电路
文献传递
0.3～2.0 GHz 100 W GaN超宽带功率放大器被引量：7
2018年
基于南京电子器件研究所0.25μm GaN HEMT工艺平台,设计了一款0.3~2.0GHz 100 W GaN超宽带功率放大器。GaN HEMT器件的射频参数由负载牵引系统测定,包括最大功率匹配阻抗和最大效率匹配阻抗。放大器用同轴巴伦结构实现超宽带匹配,用高介电常数介质板材制作匹配电路,实现放大器的小型化。放大器偏置电压28V,偏置电流0.5A。测试结果显示,在0.3~2GHz带宽内,放大器小信号增益平坦度小于±1.3dB。典型输出功率大于100 W,最小输出功率90 W,饱和功率增益大于9dB,功率平坦度小于±1.2dB,漏极效率大于50%。
徐永刚杨兴钟世昌
C波段GaAs大功率内匹配晶体管的研制
微波功率放大器作为通信系统中的关键部件之一,在电子对抗、雷达、导航等系统中有着广泛的应用。而内匹配晶体管作为构建微渡功率放大器的一种重要元器件,近年来发展速度很快,器件的输出功率和效率迅速提高。报道了一种为C波段应用而研...
徐永刚蔡昱王义
关键词：内匹配晶体管微波功率放大器集总参数分布参数
文献传递
C波段400W GaN内匹配功率管研制被引量：6
2018年
基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。
徐永刚顾黎明汤茗凯唐世军陈晓青刘柱陈韬
关键词：内匹配功率放大器C波段
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