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贾若飞

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：天津理工大学更多>>
发文基金：天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电器件
  • 1篇探测器
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇纳米材料制备
  • 1篇纳米线
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件
  • 1篇光探测
  • 1篇光探测器
  • 1篇CVD法
  • 1篇GAN

机构

  • 1篇天津理工大学

作者

  • 1篇李岚
  • 1篇杨慧
  • 1篇杨丰
  • 1篇杨丽丽
  • 1篇贾若飞
  • 1篇王飞

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一维GaN纳米材料制备及其光电器件研究进展被引量：3
2016年
一维GaN纳米材料相对于薄膜材料在光电器件应用方面具有诸多优势,本文主要论述一维GaN纳米材料的主要制备方法及其光电器件应用的研究进展。首先分别介绍采用MOCVD、MBE、CVD及模板法制备一维GaN纳米材料,重点论述GaN纳米材料的结构与形貌调控。其次介绍一维GaN纳米材料分别应用于主要光电器件包括LED、太阳能电池、激光器及光探测器的研究动态,讨论纳米材料性能、结构以及制备技术对其器件性能的影响。最后对一维GaN纳米材料的发展与应用前景进行展望。
贾若飞杨丽丽杨丰王飞杨慧李岚
关键词：GAN纳米线CVD法光探测器
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