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杨丽丽
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
天津理工大学
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发文基金:
天津市高等学校科技发展基金计划项目
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相关领域:
一般工业技术
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合作作者
王飞
天津理工大学
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李岚
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2016
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一维GaN纳米材料制备及其光电器件研究进展
被引量:3
2016年
一维GaN纳米材料相对于薄膜材料在光电器件应用方面具有诸多优势,本文主要论述一维GaN纳米材料的主要制备方法及其光电器件应用的研究进展。首先分别介绍采用MOCVD、MBE、CVD及模板法制备一维GaN纳米材料,重点论述GaN纳米材料的结构与形貌调控。其次介绍一维GaN纳米材料分别应用于主要光电器件包括LED、太阳能电池、激光器及光探测器的研究动态,讨论纳米材料性能、结构以及制备技术对其器件性能的影响。最后对一维GaN纳米材料的发展与应用前景进行展望。
贾若飞
杨丽丽
杨丰
王飞
杨慧
李岚
关键词:
GAN
纳米线
CVD法
光探测器
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