您的位置： 专家智库 > >

韩东岳

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇缓冲层
  • 2篇记忆效应
  • 2篇沟道
  • 2篇GAN缓冲层
  • 2篇HEMT
  • 2篇掺铁
  • 1篇单晶
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇气相外延
  • 1篇氢化物气相外...
  • 1篇脉冲法
  • 1篇厚膜

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇杨少延
  • 3篇李辉杰
  • 3篇韩东岳
  • 2篇王占国
  • 2篇汪连山
  • 2篇赵桂娟
  • 2篇谭晓宇

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
一种HEMT外延结构及制备方法
本发明公开了一种HEMT外延结构，其结构是：衬底(10)、低温GaN缓冲层(20)、未掺杂GaN高阻层(30)、AlN隔离层(40)、未掺杂GaN沟道层(50)、Al组分阶梯变化的势垒层(60)、AlN势垒层(70)。将...
吉泽生汪连山赵桂娟孟钰淋李辉杰谭晓宇韩东岳杨少延王占国
脉冲法生长氮化铝单晶厚膜的研究
铝(AlN)的禁带宽度大、热导率高、与铝镓氮(AlGaN)的晶格适配小,是AlGaN基紫外LED以及高频大功率电力电子器件的理想衬底材料.氢化物气相外延(HVPE)在制备GaN单晶膜厚方面已经比较成熟,但制备高质量无裂纹...
韩东岳孔苏苏李辉杰杨少延
关键词：氮化铝氢化物气相外延脉冲法
一种HEMT外延结构及制备方法
本发明公开了一种HEMT外延结构，其结构是：衬底(10)、低温GaN缓冲层(20)、未掺杂GaN高阻层(30)、AlN隔离层(40)、未掺杂GaN沟道层(50)、Al组分阶梯变化的势垒层(60)、AlN势垒层(70)。将...
吉泽生汪连山赵桂娟孟钰淋李辉杰谭晓宇韩东岳杨少延王占国
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0