汪连山
- 作品数：35 被引量：45H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生更多>>
- 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法
- 一种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层...
- 杨少延张恒魏鸿源焦春美赵桂娟汪连山刘祥林王占国
- 文献传递
- Na_2O-CaO-2P_2O_5玻璃的分相与析晶被引量：3
- 1996年
- 借助扫描电镜、X-射线衍射、透射电镜等手段,对Na_2O-CaO-2P_2O_5玻璃的结构与相变的关系进行了研究。研究结果表明:磷酸盐玻璃的分相和析晶与热处理的时间、温度有关,热处理的时间或温度不同,析晶与分析可以相互转化,适当的热处理温度和时间,有利于控制生物玻璃的活性。
- 刘秋霞汪连山钱进夫
- 关键词：磷酸盐玻璃析晶分相生物材料生物玻璃
- 可协变应力AlN结构及其制备方法
- 本公开提供一种可协变应力AlN结构及其制备方法，所述可协变应力AlN结构自下而上包括：衬底；AlN成核层；可协变应力AlN区，包括多组可协变应力AlN组，每组所述可协变应力AlN组包括：一张应力AlN层，以及一压应力Al...
- 汪连山李方政姚威振文玲杨少延魏鸿源王占国
- 文献传递
- 氮化镓缓冲层生长过程分析被引量：6
- 1999年
- 研究了用金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）在蓝宝石上生长氮化镓（ＧａＮ）缓冲层的生长速率随生长温度（５００～６００℃）的变化关系．用原位激光反射厚度测量方法，发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响．提出了生长过程的微观模型，解释了ＭＯＶＰＥ生长ＧａＮ缓冲层过程中观察到的现象．
- 刘祥林汪连山陆大成王晓晖汪度林兰英
- 关键词：氮化镓
- AlN单晶衬底生产设备及其使用方法
- 一种AlN单晶衬底生产设备及其使用方法，其主体是一耐高温坩埚，坩埚分为两个部分：晶体生长室和原料室。晶体生长室侧壁有一氨气或氮气或二者混合气体的气管，与之相对位置有一气体出口；衬底固定于反应室的顶部；原料室底部有一载气气...
- 李辉杰杨少延魏鸿源赵桂娟汪连山李成明刘祥林王占国
- 文献传递
- Pt(111)小面微结构的反射电子显微分析方法
- 1994年
- 介绍了反射电子显微术的成像原理和实现这种技术的方法,报道了用JEM-200CX电镜对Pt(111)小面微结构观察的结果。利用反射电子束成像可以揭示平坦小面的微观结构,如单原子高度的台阶,位错露头和滑移迹线等;利用背散射电子成像,可以揭示Pt(111)小面微结构的转变。实验结果表明,反射电子显微术是分析表面微结构的有效方法。
- 汪连山李宗全
- 关键词：电子显微术微结构铂
- 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法
- 一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组...
- 杨少延冯玉霞魏鸿源焦春美赵桂娟汪连山刘祥林王占国
- 文献传递
- 氮化镓材料的外延生长及性质研究
- 近年来,Ⅲ族氮化物材料因能制作蓝色发光器件和高温微电子器件已成为半导体材料领域的前沿研究课题之一.该文用MOCVD技术在蓝宝石(α-Al<,2>O<,3>)和Si衬底上生长了GaN薄膜材料,对GaN薄膜的反应生长动力学机...
- 汪连山
- 关键词：MOCVD技术
- 高纯氮化镓外延材料的制备被引量：1
- 1998年
- 用ＭＯＶＰＥ方法在蓝宝石衬底上生长了高纯氮化镓（ＧａＮ）外延材料。未掺杂ＧａＮ显ｎ型，室温下（３００Ｋ）背景电子浓度为１．６×１０１７ｃｍ－３，电子迁移率为３６０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。在１９５Ｋ附近电子迁移率达到峰值，为４９０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。发现了该材料中存在深施主能级，其离化能约为３８ｍｅＶ。
- 刘祥林王晓晖汪度汪连山王成新韩培德陆大成林兰英
- 关键词：高纯MOVPE氮化镓
- 基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法
- 本公开提供一种基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上制备GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长非故意掺杂氮化镓层和n型掺杂GaN层；在n型掺杂GaN层上生长低铟组分的InGaN预应变层；在所...
- 姚威振汪连山杨少延刘祥林王占国
- 文献传递
