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丁关凤

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇铁氧体
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇钡铁氧体
  • 1篇PLD
  • 1篇磁性能
  • 1篇O
  • 1篇12

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇张菲
  • 1篇罗文博
  • 1篇朱俊
  • 1篇王水力
  • 1篇丁关凤

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MgO缓冲层上钡铁氧体(BaFe_(12)O_(19))薄膜的制备与性能研究被引量：1
2010年
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结构和磁性能的影响规律。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在激光脉冲频率6Hz、激光能量180mJ、MgO缓冲层的厚度50nm和沉积温度为750℃的条件下,制得的BaM薄膜c轴取向最好,其(0008)面的ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.289°。扫描电子显微镜(SEM)结果显示此时薄膜的晶粒已有部分呈六角片状。振动样品磁强计(VSM)测试表明,在750℃时沉积的BaM薄膜面外饱和磁化强度为190A/m,剩磁比0.82,薄膜磁性能良好。
丁关凤朱俊王水力张菲罗文博
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