罗文博
- 作品数：199 被引量：67H指数：5
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划工业与信息化部工业与信息化部电子信息产业发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 不同波形电压刺激下单晶LiNbO_(3)薄膜忆阻器的电阻可塑性研究
- 2023年
- 随着人工智能在物联网中的应用,对于传感器端的高性能神经网络边缘计算需求日益迫切。忆阻器被认为是传感器端神经网络边缘计算应用中最具潜力的核心器件。由于传感器的输出信号具有不同的电压波形,故设计了不同的脉冲方案模拟不同的传感信号,基于单晶LiNbO_(3)薄膜忆阻器,研究了不同波形的电压刺激(方波、正弦波、三角波)对电阻可塑性的变化范围、线性度等的影响规律。在保持电压幅值和积分面积相同的情况下,研究了在三种不同波形电压刺激下的增强和抑制过程。在增强过程中,方波刺激下的电导变化幅度最大,在幅值为6 V的电压刺激下可达72 nS,正弦波次之,三角波最小(在幅值为6 V的电压刺激下仅为42 nS);而三角波刺激下的线性度最高,正弦波次之,方波的最低。测试分析可知这些差异主要是由三种波形超过特定阈值的积分面积不同所引起的。而在抑制过程中均观察到了电导突变现象,研究中通过幅值渐变的脉冲序列对电导突变进行了抑制。
- 颜昊潘忻强谢琴罗文博吴传贵
- 关键词：传感器电压波形
- 图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器
- 本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器；包括如下步骤：从压电单晶晶圆下表面注入高能量离子，形成损伤层，得到损伤的压电单晶晶圆；在损伤的压电单晶晶圆的下表面对单晶薄膜层...
- 罗文博简珂吴传贵帅垚
- 文献传递
- 一种薄膜体声波谐振器
- 本发明目的在于提供一种薄膜体声波谐振器，通过键合层制备结合布拉格反射层和空腔结构的体声波谐振器，以解决薄膜体声波谐振器难以同时获得较大的结构强度和较好声学反射效果的技术问题；其结构包括：自上而下依次设置的上电极、压电层和...
- 帅垚王晓学吴传贵罗文博
- 文献传递
- 拼接式小尺寸单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器
- 本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种拼接式小尺寸单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器；包括制备步骤：选择至少两个小尺寸单晶晶圆，在各小尺寸单晶晶圆的下表面注入高能量离子；在衬底的上表面划分出与各小尺寸单晶晶圆匹...
- 罗文博吴传贵帅垚
- 文献传递
- 一种离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法
- 本发明属于单晶薄膜的工艺领域，具体涉及一种离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法。本发明的离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法，针对离子注入剥离技术制备的单晶薄膜，选择氩离子刻蚀精准去除表面的损伤层；此外，针对去除损伤层后薄膜...
- 罗文博方远苹帅垚吴传贵张万里
- 文献传递
- 脉冲激光沉积金红石相TiO2薄膜的研究
- 本文利用脉冲激光沉积技术在六方纤锌矿结构的蓝宝石衬底上制备了TiO2薄膜，分别研究了沉积温度、氧分压对薄膜晶相的影响。采用X-射线衍射仪(XRD)表征薄膜的晶体微观结构和原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌，并利用高...
- 陈竑朱俊罗文博张鹰李言荣
- 关键词：激光沉积
- 文献传递
- 微桥结构PZT厚膜红外探测器研究
- 2011年
- 利用KOH溶液腐蚀结合SF6气体干法刻蚀工艺制备了锆钛酸铅(PbZr0.3Ti0.7O3,PZT)厚膜热释电红外探测器,得到了器件Si基背面完全悬空的微桥绝热结构。使用由斩波器调制的黑体辐射,测试了探测器在低频段的电压响应率、噪声等效功率和探测率等参数。结果表明,探测器在调制频率为5.3 Hz时的电压响应率约为4.5×102V/W;在调制频率为167.3 Hz时,其探测率达7.5×108 cm.Hz1/2/W;PZT厚膜探测器的热时间常数为51 ms,与PZT陶瓷器件相比小约一个数量级,有利于其在高频响应方面的应用。
- 曹家强吴传贵彭强祥罗文博张万里唐治军
- 关键词：PZT厚膜微桥结构探测率
- 面内传播方向对SAW滤波器性能的影响研究
- 2024年
- 为了满足窄带声表面波滤波器对品质因数Q值和带外抑制日益增长的需求,提出了一种窄带滤波器设计方法。在基于新型POI结构谐振器的基础上,通过旋转谐振器达到改变波传播角度的目的,并利用二维全模型得到准确的实验数据,与原结构谐振器分别代入滤波器设计中进行比较。实验结果表明,该方法在一定程度上能够有效地增加带外抑制,对过渡带抑制能力有2~4 dB的提升,且具有设计简便,占用空间小等优点。
- 朱建宇魏子杰范维李沛然钱一聪帅垚吴传贵罗文博潘忻强张万里
- 关键词：带外抑制压电材料
- 具有片上电感的改进型梯形声表面波滤波器
- 2024年
- 针对小体积声表面波(SAW)滤波器性能受封装影响较大的问题,提出了一种新型SAW梯形滤波器电路拓扑结构。通过分析滤波器高频受封装影响造成的远端抑制上翘的现象,从电路结构出发,改变版图设计,实现了片上电感。采用传统梯形滤波器结构和利用纵向耦合双模谐振器型滤波器(DMS)特殊接地结构相结合的电路拓扑结构,有助于提高带外抑制和设计灵活性。在标准的42°Y-X钽酸锂(LiTaO_(3))基板上制作滤波器,通过仿真分析得到中心频率2580 MHz、带宽50 MHz、插入损耗小于2.5 dB的高阶梯形射频SAW滤波器的最优拓扑结构。测试结果表明,通过改变电路拓扑结构关键参数和引入新的传输零点,可改善在高频段内的带外抑制特性。
- 杨茂坤帅垚魏子杰吴传贵罗文博张万里
- 关键词：封装片上电感带外抑制
- 单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法及谐振器
- 本发明涉及单晶薄膜型体声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法及谐振器；本发明的目的在于提供一种单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法及谐振器，通过单晶薄膜型体声波谐振器的优化方法制得的谐振器的设...
- 吴传贵帅垚罗文博
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