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曹秀芳

作品数:5 被引量:10H指数:2
供职机构:中国电子科技集团公司第四十五研究所更多>>
发文基金:中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇晶圆
  • 1篇电场
  • 1篇电镀
  • 1篇电镀槽
  • 1篇镀槽
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇全自动
  • 1篇污染
  • 1篇污染物
  • 1篇刻蚀
  • 1篇机械手
  • 1篇硅片
  • 1篇二极管
  • 1篇封装
  • 1篇
  • 1篇GPP
  • 1篇玻璃钝化

机构

  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 5篇曹秀芳
  • 2篇祝福生
  • 1篇宋文超
  • 1篇吴光庆
  • 1篇张伟峰
  • 1篇姚立新
  • 1篇曹颖杰
  • 1篇张伟锋

传媒

  • 4篇电子工业专用...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2015
  • 2篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
高厚度均匀性晶圆双面电镀金技术被引量:1
2020年
分析了晶圆双面电镀金工艺过程中影响镀层厚度均匀性的因素,通过单因素对比实验,研究阴极触点数量、电场屏蔽板开孔尺寸、旋转桨与晶圆间距和旋转桨转速等因素对镀金层厚度均匀性的影响及其影响机理。当阴极触点数量为12个,电场屏蔽板开孔尺寸为60 mm,旋转桨与晶圆的间距为3 mm,旋转桨转速为180 r/min时,可得到最优的4英寸(1英寸=2.54 mm)晶圆双面电镀金厚度均匀性。当电镀工艺目标镀层厚度为4μm时,晶圆双面镀层厚度均匀性可控制在5%以内。实验结果表明,晶圆双面挂镀设备即可满足晶圆双面同时电镀,也可满足高端芯片封装对镀层厚度均匀性的要求。
陈苏伟解坤宪曹秀芳张伟锋王迪杜婷婷郭育澎
硅片湿法清洗工艺技术及设备发展趋势被引量:7
2011年
简要介绍了硅片湿化学清洗工艺技术及清洗设备结构技术,包括一些典型的槽体结构、干燥工艺技术等。并就清洗技术的发展需要,阐述未来清洗设备的发展趋势。
曹秀芳姚立新祝福生宋文超
关键词:硅片污染物
GPP器件关键工艺设备制造技术研究被引量:1
2015年
简要介绍了GPP二极管工艺制造流程,着重阐述了P-N结钝化玻璃保护覆层制作工艺中V型沟槽的湿法刻蚀工艺,通过溶液温度、溶液流场及晶圆旋转运动控制技术,实现沟槽湿法刻蚀深度、宽度等均匀性,从而保证玻璃覆层的厚度及附着性,提高GPP二极管的性能。
曹秀芳
关键词:晶圆湿法刻蚀
300mm全自动去胶清洗设备的研制被引量:2
2011年
介绍了一种全自动去胶清洗设备的结构技术,主要从工艺槽体溶液均匀性实现等方面阐述槽体结构。经用户使用证明:该系统运行稳定可靠,工艺灵活,清洗工艺先进。适用150~300 mm晶圆片的去胶、腐蚀、清洗等工艺。
曹秀芳曹颖杰祝福生
关键词:机械手
2.5D封装中硅转接板双面电镀槽研究
2020年
介绍了在2.5D封装中运用简化工艺进行硅转接板双面电镀的电镀槽功能模块及其设计原理。
陈苏伟吴光庆曹秀芳张伟峰解坤宪
关键词:电镀槽
共1页<1>
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