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徐文斌

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:集美大学更多>>

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子翻转
  • 1篇瞬态
  • 1篇瞬态效应
  • 1篇重掺杂
  • 1篇埋氧层
  • 1篇SOI器件

机构

  • 1篇集美大学

作者

  • 1篇韦素芬
  • 1篇郑佳春
  • 1篇袁占生
  • 1篇邱邑亮
  • 1篇吴一亮
  • 1篇耿莉
  • 1篇黄辉祥
  • 1篇唐凯
  • 1篇徐文斌

年份

  • 1篇2016
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
一种抗单粒子瞬态加固SOI器件及其制备方法
本发明涉及微电子技术领域。本发明公开了一种抗单粒子瞬态加固SOI器件,包括衬底、埋氧层、半导体体区、漏区、源区、栅区、栅侧墙、LDD区和重掺杂的源延伸区,所述埋氧层位于衬底之上,所述半导体体区、源区和漏区位于埋氧层之上,...
黄辉祥耿莉韦素芬唐凯袁占生徐文斌吴一亮邱邑亮郑佳春
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共1页<1>
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