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耿莉

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：集美大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 2篇短沟效应
  • 2篇阈值电压
  • 2篇阈值电压解析...
  • 2篇解析模型
  • 2篇拉普拉斯方程
  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子翻转
  • 1篇电势
  • 1篇电势分布
  • 1篇瞬态
  • 1篇瞬态效应
  • 1篇全耗尽
  • 1篇重掺杂
  • 1篇埋氧层
  • 1篇接电
  • 1篇SOI_MO...
  • 1篇SOI器件

机构

  • 3篇集美大学

作者

  • 3篇韦素芬
  • 3篇耿莉
  • 3篇黄辉祥
  • 2篇邵志标
  • 2篇张国和
  • 1篇郑佳春
  • 1篇袁占生
  • 1篇邱邑亮
  • 1篇吴一亮
  • 1篇唐凯
  • 1篇徐文斌

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种抗单粒子瞬态加固SOI器件及其制备方法
本发明涉及微电子技术领域。本发明公开了一种抗单粒子瞬态加固SOI器件，包括衬底、埋氧层、半导体体区、漏区、源区、栅区、栅侧墙、LDD区和重掺杂的源延伸区，所述埋氧层位于衬底之上，所述半导体体区、源区和漏区位于埋氧层之上，...
黄辉祥耿莉韦素芬唐凯袁占生徐文斌吴一亮邱邑亮郑佳春
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一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压计算方法
本发明一种计算硅膜掺杂为高斯分布的体接电位的部分耗尽绝缘体上硅晶体管的二维阈值电压解析模型。考虑短沟效应的影响，采用分离变量的思想方法，将硅膜全耗尽并弱反型情况下耗尽区的电势分布函数分解为长沟器件电势分布函数与短沟器件电...
韦素芬黄辉祥张国和邵志标耿莉
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一种体接电位PD‑SOI MOSFET二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压计算方法
本发明一种计算硅膜掺杂为高斯分布的体接电位的部分耗尽绝缘体上硅晶体管的二维阈值电压解析模型。考虑短沟效应的影响，采用分离变量的思想方法，将硅膜全耗尽并弱反型情况下耗尽区的电势分布函数分解为长沟器件电势分布函数与短沟器件电...
韦素芬黄辉祥张国和邵志标耿莉
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