李辉
- 作品数：4 被引量：13H指数：2
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 金属氧化物掺杂对ZnO气敏特性的影响被引量：2
- 2006年
- 掺杂金属氧化物可大大提高ZnO的气敏特性,目前对这种性质的研究成为了研究热点。本文综述了掺杂金属氧化物对ZnO气敏特性的主要影响及机理;总结了目前研究中所掺杂的多种金属氧化物,并就各种掺杂物对ZnO气敏特性的作用进行了具体分析。
- 邱美艳孙以材潘国锋杜鹏李辉
- 关键词：ZNO掺杂金属氧化物气敏特性
- ZnO薄膜的丙酮气敏特性研究被引量：6
- 2007年
- 用直流磁控反应溅射法,分别在Si(111)基片及Al2O3陶瓷基片上制备了ZnO薄膜,并进行TiO2、SnO2、Al2O3或CuO的掺杂和退火处理。用XRD分析了退火前后晶型的变化,利用气敏测试系统对各样品进行了气敏特性测试。结果表明:经过700℃退火后的样品,在最佳工作温度为220℃时,对丙酮有很好的选择性和很高的灵敏度(34.794)。掺杂TiO2或SnO2,可提高ZnO薄膜传感器对丙酮的灵敏度(57.963)。
- 邱美艳孙以材潘国锋杜鹏李辉
- 关键词：半导体技术ZNO薄膜传感器丙酮选择性
- 用于高温压力传感器的AlN绝缘膜的研究被引量：4
- 2006年
- 采用直流磁控反应溅射法制备了高温压力传感器用的AlN薄膜。用X射线衍射对薄膜的晶向结构进行了分析,研究了薄膜的绝缘特性和化学稳定性,分析了AlN与Si的热膨胀系数、热导系数的关系。选用AlN在力敏电阻条和硅弹性膜之间进行绝缘隔离,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,得到了极好的压力传感器特性,即零点电漂移及热漂移小及非线性小。
- 李辉孙以材潘国锋邱美艳
- 关键词：氮化铝薄膜高温压力传感器直流磁控反应溅射
- 高温压力传感器用多晶硅-AlN-硅单晶基片被引量：1
- 2007年
- 论述纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片的研制。此基片可供制造高温力学量传感器。其要点是在力敏电阻条与硅弹性膜之间利用AlN进行绝缘隔离。AlN与硅的热膨胀系数接近,附着力高,耐击穿性好。又具有高化学稳定性,高热导率,对于压力传感器的电桥散热特别有利,可解决压力传感器启动时的零点时漂。由于无P-N结,力敏电阻无反向漏电,因此用此基片制造的力学量传感器的特性好(零点电漂移及热漂移小、非线性小)。力敏电阻条由纳米多晶硅构成。利用在600℃退火Al诱导晶化能使溅射得到的非晶硅转化成纳米多晶硅。
- 李辉孙以材潘国峰李金李鹏
- 关键词：多晶硅氮化铝薄膜高温压力传感器直流磁控反应溅射
