彭健
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：河北大学更多>>
- 相关领域：理学化学工程更多>>
- P-Cu2O电子结构的第一性原理计算及掺杂改性研究
- Cu2O在光伏设备方面应用比较普遍。Cu2O中由铜空位和氧填隙形成的离化能约0.4eV，室温载流子浓度较低，仅为1012~1014cm-3，是限制其应用的主要原因。近年来，关于如何有效提升Cu2O的光学性能和电学性能的研...
- 彭健
- 关键词：第一性原理电子结构光学性掺杂改性氧化亚铜
- Cl掺杂Cu_2O的第一性原理计算被引量：1
- 2017年
- 为了探究Cl杂质对Cu_2O体系的影响机理,采用基于密度泛函理论的第一性原理,通过Cl原子代替O原子建立同等条件下不同浓度的Cu_2O1-xClx模型,并对Cu_2O的晶体结构进行优化,计算并分析体系的几何结构、能带结构、态密度和光学特性。计算结果表明:Cl掺杂导致Cu_2O的晶格常数变大,并在Cu_2O禁带中形成了一条主要由Cl 3p轨道组成的浅施主杂质能级。该能级跨越费米面,使电子可以经过杂质能级跃迁至导带,减少了电子跃迁所需要的能量,使Cu_2O呈现半金属性;随着掺杂浓度的增大,禁带宽度依次减小为0.444,0.424,0.221 eV,从而出现吸收带边的红移;不同浓度Cl掺杂下,Cu_2O对可见光的吸收能力得到极大改善。
- 彭健任荣康李健宁张明举牛猛马蕾闫小兵郑树凯
- 关键词：第一性原理态密度
