张明举
- 作品数:5 被引量:5H指数:1
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- 相关领域:理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>
- S掺杂CeO_2的第一性原理计算
- 2016年
- 为了探究S杂质对CeO_2体系的影响机理,采用基于密度泛函理论的第一性原理,通过S原子代替O原子建立同等条件下不同浓度的CeO_(2-x)S_x模型,并对CeO_2的晶体结构进行优化,计算并分析体系的几何结构、能带结构、态密度和光学特性。结果表明:S掺杂后CeO_2的晶格常数发生改变;S掺杂使体系的导带和价带均向低能方向移动,随着掺杂浓度的增大,禁带宽度先减小后增大,并在禁带中引入3条杂质能级;CeO_2吸收边红移,并且随着掺杂浓度的增大,对可见光的吸收增强,对紫外光的吸收减弱。
- 张明举李文明吴一刘晨吉闫小兵郑树凯
- 关键词:第一性原理杂质能级光学性质
- Sr-F共掺杂CeO_2紫外屏蔽性能的第一性原理计算被引量:1
- 2016年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)下的的第一性原理,通过Sr原子代替Ce原子、F原子替代O原子,建立同等条件下纯净的、Sr单掺杂、Sr-F共掺杂的2×2×1模型,并对其晶体结构进行优化,计算并分析了体系的几何结构、能带结构、态密度和紫外屏蔽特性。计算结果表明:掺杂导致晶格体系发生畸变,体积增大;引入了杂质能级,能带变密,禁带宽度增大;CeO_2紫外屏蔽增强,吸收谱线蓝移,紫外吸收阈值取决于O原子的2p轨道电子激发到Ce原子4f轨道空带。
- 张明举李文明吴一郑树凯
- 关键词:紫外吸收第一性原理
- Lu-F共掺杂ZnO光电性质的第一性原理计算被引量:3
- 2017年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(PWPP)方法,模拟计算未掺杂,Lu、F单掺杂及Lu-F共掺杂ZnO的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质。结果表明:掺杂后ZnO的晶格常数发生畸变,晶胞体积增大,禁带宽度不同程度地减小;在光学性质方面,F单掺杂较Lu单掺杂和Lu-F共掺杂时在可见光区的吸收系数和反射低,反映前者在可见光范围具有较高的透射率。
- 张明举李文明郑树凯
- 关键词:ZNO第一性原理共掺杂光学性质
- Cl掺杂Cu_2O的第一性原理计算被引量:1
- 2017年
- 为了探究Cl杂质对Cu_2O体系的影响机理,采用基于密度泛函理论的第一性原理,通过Cl原子代替O原子建立同等条件下不同浓度的Cu_2O1-xClx模型,并对Cu_2O的晶体结构进行优化,计算并分析体系的几何结构、能带结构、态密度和光学特性。计算结果表明:Cl掺杂导致Cu_2O的晶格常数变大,并在Cu_2O禁带中形成了一条主要由Cl 3p轨道组成的浅施主杂质能级。该能级跨越费米面,使电子可以经过杂质能级跃迁至导带,减少了电子跃迁所需要的能量,使Cu_2O呈现半金属性;随着掺杂浓度的增大,禁带宽度依次减小为0.444,0.424,0.221 eV,从而出现吸收带边的红移;不同浓度Cl掺杂下,Cu_2O对可见光的吸收能力得到极大改善。
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- 关键词:第一性原理态密度
- 掺杂CeO2的第一性原理计算
- 二氧化铈(CeO2)是一种典型的稀土氧化物半导体材料,具有较宽的带隙、不同气氛和温度下容易发生相变等特点,广泛应用于紫外吸收、光催化和汽车尾气净化等领域。由于 CeO2的禁带宽度较大,其可见光光催化能力比较弱,因此本文采...
- 张明举
- 关键词:第一性原理计算电子结构稀土氧化物半导体材料二氧化铈
- 文献传递