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Sip/Al电子封装材料制备工艺及性能研究: 铝硅电子封装材料是高含量硅颗粒增强铝基复合材料(Si/Al),它作为一种新型的电子封装材料以其优异的综合性能受到广泛的关注。铝硅电子封装材料具有质量轻、热导率高、膨胀系数低且可调等优点。与铝碳化硅电子封装材料相比,其还具...; 刘猛; 关键词：封装材料热物理性能

SiC颗粒表面Mo涂层的制备与分析被引量：1: 2016年; 采用磁控溅射法在碳化硅（SiC）颗粒表面成功制备了金属钼（Mo）涂层,分析了Mo涂层的成分和形貌;为改善初始涂层成分和形貌,对镀Mo改性SiC复合粉体进行了不同工艺的结晶化热处理,重点研究了热处理对SiC颗粒表面Mo涂层形貌和成分的影响。结果表明,磁控溅射法能够在SiC颗粒表面沉积Mo涂层,随磁控溅射时间的延长,SiC颗粒表面Mo涂层的粗糙度增大,但磁控溅射后SiC颗粒表面Mo涂层为非晶态。热处理能够有效改善SiC颗粒表面Mo涂层的成分、形貌及结晶状态,在600-1200℃之间结晶化热处理过程中,随热处理温度升高,SiC颗粒表面Mo涂层形貌主要经历了以下4个阶段变化：Mo涂层初步致密化—Mo的结晶致密化—Mo涂层的聚集长大—Mo与SiC之间化学反应;相应的Mo原子的存在状态也经历了如下变化：非晶态Mo原子—晶态Mo原子—Mo2C和MoSi2。其中800-900℃之间为最佳热处理温度,此时Mo涂层致密均匀包覆完整。SiC表面连续均匀致密的Mo涂层,有利于改善SiC颗粒增强金属基复合材料中基体与增强体之间的界面结合并控制不利界面反应,有利于复合材料综合性能的提高,必将扩大SiC颗粒作为增强体的应用范围。; 刘猛白书欣李顺赵恂熊德赣; 关键词：碳化硅表面改性磁控溅射

热处理对铝硅复合材料组织和性能的影响: 主要分析了铝硅复合材料经不同工艺热处理后其硅相形貌的演变以及其气密性、弯曲强度、热导率和热膨胀系数的变化。研究发现,经不同工艺热处理后其硅相形貌经历了如下变化:硅颗粒边角溶解、钝化;细小硅颗粒的逐渐溶解并最终消失;较大硅...; 刘猛万红张虹白书欣; 文献传递

SiC_p/Cu电子封装材料研究进展被引量：9: 2013年; 详细介绍了SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法及应用情况,目前国内外SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法有粉末冶金法、放电等离子烧结法、无压浸渗法、压力浸渗法和反应熔渗法,其中包覆粉末热压烧结法和压力浸渗法是目前研发应用较广泛的两种方法。分析了SiC与Cu之间的界面反应机理,并指明SiCp/Cu电子封装材料的制备要解决的主要问题就是在SiC与Cu之间设置界面阻挡层,进而详细阐述了SiCp/Cu电子封装材料主要界面改性方法及其调控效果,并指出目前应用最好的两种方法是物理气相沉积法和化学气相沉积法。; 刘猛李顺白书欣赵恂熊德赣; 关键词：电子封装材料 SICP CU

SiCp/Cu复合材料中界面改性层的溶胶-凝胶法制备与分析: 采用过氧钼酸溶胶-凝胶体系首先在SiC颗粒表面包覆MoO3涂层,然后氢气两步还原得到Mo涂层,研究了溶胶-凝胶工艺对MoO3包覆完整性的影响及还原后Mo涂层的成分和形貌；然后,选取Mo包覆SiC粉和Cu粉,采用热压烧结工...; 刘猛白书欣李顺赵恂熊德赣; 关键词：溶胶-凝胶 SICP/CU 热压烧结

电子封装用高导热颗粒增强金属基复合材料制备与研究: 以SiC、GaN为代表的第三代半导体器件技术的成熟，对电子封装材料导热性能和耐温性能提出了更高的要求，其要求该类封装材料在 200℃-600℃的温度范围内还能够正常工作，因此，迫切要求开发一种新型高导热、耐高温的电子封装...; 刘猛; 关键词：金属基复合材料电子封装磁控溅射热物理性能

界面设计对Si_p/Al复合材料组织和性能的影响被引量：5: 2014年; 采用真空气压浸渗方法制备Sip/Al复合材料,研究硅颗粒表面炭化和氮化处理对Sip/Al复合材料组织结构和性能的影响。结果表明:炭化和氮化处理可在硅颗粒表面生成炭化硅层和氮化硅层,能有效地阻止高温制备时铝对硅的溶解,提高复合材料的性能。经1300℃炭化处理2h后制得的体积分数为50%的Sip/Al复合材料,其热导率达139.98W·(m·K)-1,相比未作处理的提高约30%;经1200℃氮化处理2h后制得的体积分数为50%的Sip/Al复合材料,其热导率为128.80W·(m·K)-1,相比未作处理的提高约20%。; 刘猛白书欣李顺赵恂熊德赣; 关键词：SIP AL复合材料热导率

SiCp/Cu复合材料中界面改性层的溶胶-凝胶法制备与分析: 采用过氧钼酸溶胶-凝胶体系首先在SiC颗粒表面包覆MoO涂层,然后氢气两步还原得到Mo涂层,研究了溶胶-凝胶工艺对MoO包覆完整性的影响及还原后Mo涂层的成分和形貌;然后,选取Mo包覆SiC粉和Cu粉,采用热压烧结工艺制...; 刘猛白书欣李顺赵恂熊德赣; 关键词：溶胶-凝胶 SICP/CU 热压烧结; 文献传递

界面改性对SiC_p/Cu复合材料热物理性能的影响被引量：6: 2016年; 采用热压烧结法成功制备SiC_p/Cu复合材料。采用溶胶-凝胶工艺在SiC颗粒表面制备Mo涂层,研究Mo界面阻挡层对复合材料热物理性能的影响。结果表明:过氧钼酸溶胶-凝胶体系能够在SiC颗粒表面包覆连续性、均匀性较好的MoO_3涂层,最佳工艺配比为SiC∶MoO_3=5∶1(质量比)、过氧化氢∶乙醇=1∶1(体积比),SiC表面丙酮和氢氟酸预清洗处理有利于MoO_3涂层的沉积生长。MoO_3在540℃第一步氢气还原后转变为MoO_2,MoO_2在940℃第二步氢气还原后完全转变为Mo,Mo涂层包覆致密完整。热压烧结SiC_p/Cu复合材料微观组织致密均匀,且相比原始SiC颗粒增强的SiC_p/Cu,经溶胶-凝胶法界面改性处理的SiC_p/Cu复合材料热导率明显提高,SiC体积分数约为50%时,SiC_p/Cu复合材料热导率达到214.16W·m^(-1)·K^(-1)。; 刘猛白书欣李顺赵恂熊德赣; 关键词：溶胶-凝胶 SICP/CU 热压烧结

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刘猛