熊德赣
- 作品数：34 被引量：140H指数：8
- 供职机构：国防科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技大学预研基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信机械工程更多>>
- 界面改性对SiC_p/Cu复合材料导热性能的影响
- 2016年
- 采用磁控溅射法结合结晶化热处理工艺在SiC颗粒表面成功制备了金属Mo涂层,分析Mo涂层的成分和形貌;采用热压烧结工艺制备SiCp/Cu复合材料,重点对比分析Mo界面阻挡层厚度对复合材料导热性能的影响。结果表明:磁控溅射法能够在SiC颗粒表面沉积得到Mo涂层,随溅射时间的延长,Mo涂层的厚度增加、粗糙度增大,且磁控溅射后SiC颗粒表面直接得到的Mo涂层为非晶态,结晶化热处理后,变为致密平整的晶态Mo涂层。磁控溅射时间对Mo涂层厚度和复合材料导热性能影响明显。随磁控溅射时间的增加,复合材料的热导率呈先增后减趋势。采用磁控溅射9h镀Mo改性并经过800℃结晶化热处理的SiC复合粉体在850℃下热压烧结制备的SiCp/Cu复合材料(VSiC=50%),其热导率达到了最高值274.056W/(m·K)。
- 刘猛白书欣李顺赵恂熊德赣
- 关键词：SICP/CU复合材料界面改性磁控溅射热压烧结热导率
- SiC颗粒表面Mo涂层的制备与分析被引量：1
- 2016年
- 采用磁控溅射法在碳化硅（SiC）颗粒表面成功制备了金属钼（Mo）涂层,分析了Mo涂层的成分和形貌;为改善初始涂层成分和形貌,对镀Mo改性SiC复合粉体进行了不同工艺的结晶化热处理,重点研究了热处理对SiC颗粒表面Mo涂层形貌和成分的影响。结果表明,磁控溅射法能够在SiC颗粒表面沉积Mo涂层,随磁控溅射时间的延长,SiC颗粒表面Mo涂层的粗糙度增大,但磁控溅射后SiC颗粒表面Mo涂层为非晶态。热处理能够有效改善SiC颗粒表面Mo涂层的成分、形貌及结晶状态,在600-1200℃之间结晶化热处理过程中,随热处理温度升高,SiC颗粒表面Mo涂层形貌主要经历了以下4个阶段变化：Mo涂层初步致密化—Mo的结晶致密化—Mo涂层的聚集长大—Mo与SiC之间化学反应;相应的Mo原子的存在状态也经历了如下变化：非晶态Mo原子—晶态Mo原子—Mo2C和MoSi2。其中800-900℃之间为最佳热处理温度,此时Mo涂层致密均匀包覆完整。SiC表面连续均匀致密的Mo涂层,有利于改善SiC颗粒增强金属基复合材料中基体与增强体之间的界面结合并控制不利界面反应,有利于复合材料综合性能的提高,必将扩大SiC颗粒作为增强体的应用范围。
- 刘猛白书欣李顺赵恂熊德赣
- 关键词：碳化硅表面改性磁控溅射
- SiC_p/Cu电子封装材料研究进展被引量：9
- 2013年
- 详细介绍了SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法及应用情况,目前国内外SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法有粉末冶金法、放电等离子烧结法、无压浸渗法、压力浸渗法和反应熔渗法,其中包覆粉末热压烧结法和压力浸渗法是目前研发应用较广泛的两种方法。分析了SiC与Cu之间的界面反应机理,并指明SiCp/Cu电子封装材料的制备要解决的主要问题就是在SiC与Cu之间设置界面阻挡层,进而详细阐述了SiCp/Cu电子封装材料主要界面改性方法及其调控效果,并指出目前应用最好的两种方法是物理气相沉积法和化学气相沉积法。
- 刘猛李顺白书欣赵恂熊德赣
- 关键词：电子封装材料SICPCU
- AlSiC电子封装材料及构件研究进展被引量：25
- 2006年
- AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装。综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展。
- 熊德赣程辉刘希从赵恂鲍小恒杨盛良堵永国
- 关键词：预制件液相浸渗机械加工表面处理
- 界面设计对Si_p/Al复合材料组织和性能的影响被引量：5
- 2014年
- 采用真空气压浸渗方法制备Sip/Al复合材料,研究硅颗粒表面炭化和氮化处理对Sip/Al复合材料组织结构和性能的影响。结果表明:炭化和氮化处理可在硅颗粒表面生成炭化硅层和氮化硅层,能有效地阻止高温制备时铝对硅的溶解,提高复合材料的性能。经1300℃炭化处理2h后制得的体积分数为50%的Sip/Al复合材料,其热导率达139.98W·(m·K)-1,相比未作处理的提高约30%;经1200℃氮化处理2h后制得的体积分数为50%的Sip/Al复合材料,其热导率为128.80W·(m·K)-1,相比未作处理的提高约20%。
- 刘猛白书欣李顺赵恂熊德赣
- 关键词：SIPAL复合材料热导率
- 铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置
- 本发明提供了一种铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置，该铝硅/铝碳化硅复合材料包括激光焊接层和铝碳化硅层，激光焊接层位于铝碳化硅层的上表面；激光焊接层为经喷射沉积形成的铝硅材料。本发明提供的复合材料通过在铝碳...
- 白书欣熊德赣李顺赵恂张虹万红
- 文献传递
- 铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置
- 本发明提供了一种铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置。该铝硅/铝碳化硅复合材料包括激光焊接层和铝碳化硅层，激光焊接层位于铝碳化硅层的上表层；激光焊接层为经喷射沉积形成的铝硅材料。本发明提供的复合材料通过在铝碳...
- 白书欣熊德赣李顺赵恂张虹万红
- 文献传递
- 铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置
- 本发明提供了一种铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置。该铝硅/铝碳化硅复合材料包括激光焊接层和铝碳化硅层，激光焊接层位于铝碳化硅层的上表层；激光焊接层为经喷射沉积形成的铝硅材料。本发明提供的复合材料通过在铝碳...
- 白书欣熊德赣李顺赵恂张虹万红
- 文献传递
- 带金属密封环的AlSiC管壳制备与性能被引量：2
- 2008年
- 采用模压成形制备预制件，经真空-压力浸渗后成功制备出带金属密封环的A1SiC管壳，评价了带密封环的A1SiC管壳的性能当磷酸铝含量为1．2％，成形压力为200MPa，800℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为12．4MPa，孔隙率为37％。A1SiC电子封装材料在100℃～500℃区间的热膨胀系数介于（6．52-7．43）×106℃^-1，热导率为160W·m^-1·K^-1，抗弯强度为380MPa，漏率小于1．0×10^-9 Pa·m^3·s^-1、无任何约束条件下，A1SiC管壳升温至450℃．恒温90min，然后随炉冷却，密封环为铝合金的管壳明显变形，与有限元分析结果相符，而密封环为4J45的管壳基本朱变形。4J45密封环与铝合金扩散形成（Fe，Ni）Al3，但4J45密封环与A1SiC壳体间界面结合不紧密，导致A1SiC管壳漏率大于1×10^-8Pa·m^3·s^-1。
- 熊德赣杨盛良白书欣卓钺赵恂
- 关键词：管壳真空压力浸渗密封环有限元分析
- SiCp/Cu复合材料中界面改性层的溶胶-凝胶法制备与分析
- 采用过氧钼酸溶胶-凝胶体系首先在SiC颗粒表面包覆MoO3涂层,然后氢气两步还原得到Mo涂层,研究了溶胶-凝胶工艺对MoO3包覆完整性的影响及还原后Mo涂层的成分和形貌；然后,选取Mo包覆SiC粉和Cu粉,采用热压烧结工...
- 刘猛白书欣李顺赵恂熊德赣
- 关键词：溶胶-凝胶SICP/CU热压烧结
