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朱小燕

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氧化钛
  • 1篇制备SIC
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳热还原
  • 1篇碳热还原法
  • 1篇热还原
  • 1篇热还原法
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇溅射
  • 1篇二氧化钛
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 2篇浙江理工大学

作者

  • 2篇唐为华
  • 2篇王顺利
  • 2篇朱小燕
  • 1篇刘爱萍
  • 1篇姜平
  • 1篇陈建军
  • 1篇李培刚
  • 1篇徐蕙
  • 1篇刘仁娟

传媒

  • 1篇浙江理工大学...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
CuO/TiO2复合薄膜的制备与表征
1.引言TiO薄膜由于其高折射率和机械强度,稳定的化学特性,高介电常数等特性,在光学、光电子学及电子学等领域有广泛的应用前景。近些年对TiO薄膜改性的研究日益增多。射频磁控溅射法制备薄膜具有操作简单,重复性好等优点,是一...
徐蕙王顺利朱小燕姜平刘爱萍唐为华
关键词：射频磁控溅射二氧化钛
碳热还原法制备SiC纳米线及其结构表征被引量：1
2012年
采用简单的碳热还原法,以碳粉和SiO2微粉分别作为碳源和硅源,在1 550℃高温真空气氛箱式炉中制备SiC纳米线。并利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)等测试手段对反应产物进行组分、形貌和结构表征。研究结果表明:产物为直线六棱柱形状的β-SiC纳米线,直径在50～300nm之间,纳米线内部含有较多的堆垛层错;纳米线主要以气—固(VS)机制生长。
朱小燕李培刚王顺利刘仁娟陈建军唐为华
关键词：碳化硅纳米线碳热还原
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