您的位置: 专家智库 > >

刘仁娟

作品数:9 被引量:1H指数:1
供职机构:浙江理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划浙江省大学生科技创新活动计划(新苗人才计划)项目更多>>
相关领域:理学化学工程更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 4篇超导
  • 3篇载流子
  • 3篇载流子浓度
  • 3篇整流特性
  • 3篇石墨坩埚
  • 3篇坩埚
  • 3篇SIC纳米线
  • 2篇压强
  • 2篇整流
  • 2篇整流器
  • 2篇整流器件
  • 2篇双层膜
  • 2篇氩气
  • 2篇可膨胀
  • 2篇LA1
  • 2篇超导薄膜
  • 2篇超导器件
  • 2篇超导转变

机构

  • 9篇浙江理工大学
  • 1篇北京邮电大学

作者

  • 9篇刘仁娟
  • 5篇唐为华
  • 5篇李培刚
  • 4篇陈建军
  • 3篇朱小燕
  • 3篇辛利鹏
  • 3篇崔灿
  • 3篇沈静琴
  • 3篇石强
  • 2篇张岩
  • 2篇张媛
  • 1篇朱晖文
  • 1篇王顺利
  • 1篇申婧翔
  • 1篇朱小燕
  • 1篇张媛

传媒

  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇浙江理工大学...

年份

  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种制备高产量SiC纳米线的方法
本发明公开了一种制备高产量SiC纳米线的方法,本发明步骤为:以质量百分比为36.8%~95.2%的工业硅粉或二氧化硅粉和质量百分比为4.8%~63.2%的工业可膨胀石墨为原材料进行机械混合,装入石墨坩埚并置于高温气氛炉内...
陈建军石强辛利鹏朱小燕刘仁娟
一种双层膜超导整流器件的制备方法
本发明公开了一种基于载流子浓度调控超导转变温度机理的超导薄膜整流器件,具体是指一种以La<Sub>1.8</Sub>Sr<Sub>0.2</Sub>CuO<Sub>4</Sub>/La<Sub>1.9</Sub>Sr<S...
张媛刘仁娟李培刚沈静琴崔灿唐为华
文献传递
一种制备高产量SiC纳米线的方法
本发明公开了一种制备高产量SiC纳米线的方法,本发明步骤为:以质量百分比为36.8%~95.2%的工业硅粉或二氧化硅粉和质量百分比为4.8%~63.2%的工业可膨胀石墨为原材料进行机械混合,装入石墨坩埚并置于高温气氛炉内...
陈建军石强辛利鹏朱小燕刘仁娟
文献传递
La_(1.8)Sr_(0.2)CuO_4/La_(1.9)Sr_(0.1)CuO_4超导双层薄膜的制备及电学输运性能研究
2012年
采用Nd:YAG固体激光器在SrTiO3(STO)衬底上成功制备了具有c轴取向的过掺杂La1.8Sr0.2CuO4和欠掺杂La1.9Sr0.1CuO4超导薄膜。分别对薄膜的晶体结构、电学输运性能进行了研究。通过晶体结构分析表明超导薄膜沿<001>晶向生长,沉积后的薄膜超导转变温度(TC)随着薄膜厚度(20~200 nm)的增加而逐渐升高,显示薄膜由二维特征向三维特征过渡。在双层薄膜La1.8Sr0.2CuO4/La1.9Sr0.1CuO4结构中,其电学输运性能和所加电场的方向有很大关联,反映出电场的方向影响了超导薄膜中空穴载流子的扩散,进而影响了薄膜的超导转变温度和电学输运性能。
刘仁娟张岩张媛沈静琴李培刚唐为华
关键词:超导薄膜
La1.8Sr0.2CuO4/La1.9Sr0.1CuO4双层超导薄膜的制备与电学性能表征
超导材料由于其具有电阻为零的优点在能源紧张的今天受到越来越多人的关注,微型化器件的出现促使了薄膜材料的研究,能够将超导薄膜应用到更多的微电子器件这一目标吸引了越来越多的科研工作者对超导薄膜的研究。   本文采用脉冲激光...
刘仁娟
关键词:超导薄膜载流子浓度整流特性
文献传递
一种分级结构SiC纳米线的制备方法
本发明公开了一种分级结构SiC纳米线的制备方法。包括以下步骤:SiC前驱体混合凝胶的配制;将混合凝胶干燥并研磨成粉状;将干凝胶粉放入石墨坩埚中,置于高温气氛炉内,抽真空并充氩气作为保护气;高温气氛炉升温,然后保温烧结;随...
陈建军石强刘仁娟朱小燕辛利鹏
文献传递
Ti/Nb:SrTiO3/Ag结构的阻变效应研究
磁控溅射的方法分别在0.5wt%-Nb:SrTiO3(NSTO)单晶衬底上制备了Ag/NSTO)/Ag、Ti/NSTO/Ti 和Ti/NSTO /Ag 结构样品,并对他们的电学性能进行了表征.测试结果表明,在测量电压范围...
张岩刘仁娟申婧翔朱晖文崔灿李培刚唐为华
关键词:肖特基势垒氧空位
碳热还原法制备SiC纳米线及其结构表征被引量:1
2012年
采用简单的碳热还原法,以碳粉和SiO2微粉分别作为碳源和硅源,在1 550℃高温真空气氛箱式炉中制备SiC纳米线。并利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)等测试手段对反应产物进行组分、形貌和结构表征。研究结果表明:产物为直线六棱柱形状的β-SiC纳米线,直径在50~300nm之间,纳米线内部含有较多的堆垛层错;纳米线主要以气—固(VS)机制生长。
朱小燕李培刚王顺利刘仁娟陈建军唐为华
关键词:碳化硅纳米线碳热还原
一种双层膜超导整流器件的制备方法
本发明公开了一种基于载流子浓度调控超导转变温度机理的超导薄膜整流器件,具体是指一种以La<Sub>1.8</Sub>Sr<Sub>0.2</Sub>CuO<Sub>4</Sub>/La<Sub>1.9</Sub>Sr<S...
张媛刘仁娟李培刚沈静琴崔灿唐为华
文献传递
共1页<1>
聚类工具0