周泉
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于0.5m CMOS工艺的BOOST变换器设计被引量：1
- 2012年
- 针对便携式通信设备对DC-DC变换器的输出电压纹波和效率要求较高的问题,提出了一种同步整流模式的BOOST型DC-DC变换器电路,以提高芯片的转换效率。该设计采用CSMC(Central Semiconductor Man-ufacturing Corporation)0.5μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,并利用0.5μm双层多晶硅三层金属的CMOS工艺实现了电路的版图绘制。仿真结果证明,变换器能稳定输出电压,并具有较小的电压纹波和较高的转换效率等优点。
- 丁玲余昭杰李靖周泉杜国同常玉春
- 关键词：同步整流DC-DC变换器
- 穿通增强型硅光电晶体管的结构及参数优化被引量：2
- 2013年
- 为克服各种常用光电探测器件的缺点,对穿通增强型硅光电晶体管进行了结构优化和参数优化。将窄基区穿通晶体管仅在一侧与宽基区光电晶体管复合的传统结构,改进为窄基区穿通晶体管在中间,两侧各复合一个长度减半的宽基区光电晶体管。同时,对不同窄基区宽度下的暗电流、光生电流及光电响应率等随偏压变化的电学性能和光电转换特性进行仿真,得到窄基区宽度最优参数。然后对优化后的器件在不同光强下的光生电流和光电响应率随偏压的变化进行了仿真,分析了器件在不同光强下的响应特性。结果表明,当窄基区宽度为0.6μm时,器件性能折中达到最优,在0.5 V偏压下,器件暗电流仅为1μA;入射光功率密度为10-7W/cm2时,器件响应率高达4×106A/W。
- 丁传鹏周泉陆逢阳王宝续常玉春
- 关键词：暗电流
