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黄国亮

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：大连交通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇导体
  • 3篇电子结构
  • 3篇子结构
  • 3篇稀磁半导体
  • 3篇半导体
  • 2篇4H-SIC
  • 2篇掺杂
  • 1篇第一性原理
  • 1篇氧空位
  • 1篇金属
  • 1篇过渡金属
  • 1篇DMS
  • 1篇磁性半导体

机构

  • 3篇大连交通大学

作者

  • 3篇黄国亮
  • 2篇张志华
  • 2篇陶华龙

传媒

  • 2篇大连交通大学...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
4H-SiC基稀磁半导体的电子结构被引量：3
2013年
通过第一性原理计算研究3d过渡金属元素(TM)掺杂六方结构碳化硅(4H-SiC)晶体和Al、TM共掺杂4H-SiC晶体的总能和磁学性质.掺杂4H-SiC结构的稳定性取决于TM和Si原子的化学势.结果发现在TM掺杂4H-SiC体系中,掺杂Ti的结构是最稳定的,而Al、TM共掺4H-SiC中掺杂V的结构是最稳定的.对比TM元素单掺杂和Al与TM元素共掺杂体系的磁性质可知,Al有稳定结构和影响结构磁性的作用.
黄国亮张志华陶华龙
关键词：电子结构掺杂
氧空位对钴掺杂氧化锌稀磁半导体电子结构的影响
2012年
通过第一性原理计算对Co掺杂ZnO稀磁半导体的磁学性质和电子结构进行了研究.对氧空位出现在不同位置时体系总能进行计算,证实氧空位更容易在Co原子附近生成.电子结构计算表明Co-3d自旋电子在费米能级附近产生了自旋极化现象,提供局域磁矩;通过研究两个Co原子掺杂ZnO体系的电子结构,证实铁磁性的产生是两个Co原子耦合的结果,氧原子起到了一定的调制作用.
陶华龙张志华黄国亮
关键词：磁性半导体电子结构第一性原理
4H-SiC基稀磁半导体电子结构的研究
随着计算机科学技术的高速进步,材料模拟软件越来越受到人们的重视。本文通过基于第一性原理材料模拟软件(MS)中的CASTEP模块对4H-SiC进行电子结构的计算。三个体系(Al掺杂4H-SiC、空位掺杂4H-SiC、Al和...
黄国亮
关键词：稀磁半导体电子结构过渡金属掺杂4H-SIC
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