张志华
- 作品数:23 被引量:34H指数:4
- 供职机构:大连交通大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域:一般工业技术理学化学工程电子电信更多>>
- 4H-SiC基稀磁半导体的电子结构被引量:3
- 2013年
- 通过第一性原理计算研究3d过渡金属元素(TM)掺杂六方结构碳化硅(4H-SiC)晶体和Al、TM共掺杂4H-SiC晶体的总能和磁学性质.掺杂4H-SiC结构的稳定性取决于TM和Si原子的化学势.结果发现在TM掺杂4H-SiC体系中,掺杂Ti的结构是最稳定的,而Al、TM共掺4H-SiC中掺杂V的结构是最稳定的.对比TM元素单掺杂和Al与TM元素共掺杂体系的磁性质可知,Al有稳定结构和影响结构磁性的作用.
- 黄国亮张志华陶华龙
- 关键词:电子结构掺杂
- Ti掺杂LiZnAs的电子结构和磁学性能被引量:2
- 2022年
- 通过采用第一性原理计算,研究Ti不同掺杂位置对LiZnAs电子结构和磁学性能的影响.在Ti原子附近,随机位置添加Li间隙原子,进而为掺杂体系引入电子载流子,研究电子载流子对掺杂体系磁稳定性的影响.结果表明:Li(ZnTi)As体系的磁性起源于p-d杂化作用,p-d杂化导致Ti-3d电子自旋极化.掺杂组态的磁矩主要由Ti原子提供,其中最近邻掺杂组态Ti提供的原子磁矩最大为1.90μ_(B).Li(ZnTi)As体系的基态为铁磁稳定,Ti离子间通过双交换作用发生铁磁耦合.Li间隙原子属于n型掺杂,为掺杂体系提供电子载流子.巡游的载流子有助于磁性离子之间的电子交换,体系的铁磁稳定性增强.
- 王满富何明崔岩陶华龙张志华
- 关键词:第一性原理计算电子结构磁学性能
- 一种应用于汽车防撞梁的碳纤维多孔丙纶复合材料及制备工艺
- 本发明公开了一种应用于汽车防撞梁的碳纤维多孔丙纶复合材料及制备工艺,该复合材料包括三层结构:碳纤维‑环氧树脂复合层,由剪切至预设尺寸的碳纤维布表面涂覆环氧树脂和固化剂的混合物固化后得到;多孔丙纶‑环氧树脂复合层,由剪切至...
- 刘向武素梅梁瑶张志华李剑锋
- 文献传递
- 正离子初速度对电负性等离子体磁鞘结构的影响
- 2011年
- 采用流体模型经过理论推导得到了电负性等离子体磁鞘的玻姆判据,并数值研究了正离子进入鞘层时的初速度对电负性等离子体磁鞘中带电粒子密度及电势分布的影响.研究结果表明:正离子进入鞘层时y方向的初速度对磁鞘中带电粒子的密度和电势分布有较大的影响,而其z方向的初速度对磁鞘中带电粒子密度分布的影响很小.
- 刘惠平邹秀邱明辉张志华何明
- 关键词:电负性
- 3C-SiC电子结构和磁性的第一性原理计算被引量:3
- 2016年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,分别计算了Si空位、单个Al、Al与Si空位共掺杂3C-Si C的电子结构和磁性。结果表明:本征3C-Si C没有磁性,单一的Al掺杂对其磁性的改进也没有影响,但可以通过Si空位的引入产生自旋极化。在A1和Si空位共掺杂3C-Si C的结构中,Si空位近邻的C原子的自旋向上与自旋向下的态密度图明显不对称,主要是由与Si空位近邻的C-2p轨道的自旋极化引起的。
- 林龙李先宏张波张战营张志华陶华龙何明
- 关键词:稀磁半导体电子结构第一性原理
- 碳纤维复合材料一体化成型及其在无人机领域的应用被引量:5
- 2021年
- 文章介绍了一种新型的碳纤维复合材料的一体化成型技术,采用弹性内模具和不锈钢外模具结合的真空内压方法,得到的机翼可以应用在无人机等领域,对比传统的模压法等工艺有明显优势。一体成型技术采用一体化成型工艺一次成型,克服了传统的碳纤维机翼多次拼接工艺导致接缝处结合不够紧密,材料厚度分布不均匀的缺陷,得到的碳纤维复合材料表面均匀性好、平整度高,无明显的气泡和孔隙,整体的拉伸性能有明显的提高。
- 刘向徐维梁瑶张志华武素梅
- 关键词:碳纤维复合材料无人机
- Co掺杂4H-SiC电子结构的第一性原理计算被引量:7
- 2017年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究Co掺杂4H-SiC的电子结构和磁性。计算结果表明:Co掺杂引入了空穴,产生自旋极化。Co掺杂4H-SiC的价带顶和导带底分别由Co的3d态和C的2p态占据,而Si的2p轨道作用较小。通过计算10种可能的掺杂位置,确定了铁磁性最稳定的组态。由于Co_0:3d-C:2p-Co_6:3d链之间存在一定的耦合关系,Co与C原子间强烈的d-p轨道杂化使得Co掺杂4H-SiC处于较稳定的铁磁基态。Co的引入使得基体空穴增加,缺陷调节下空穴载流子的远程交换(RKKY)机制导致了铁磁性的出现。
- 林龙祝令豪李先宏张志华何明陶华龙徐永豪张战营曹建亮
- 关键词:稀磁性半导体电子结构第一性原理4H-SIC
- 应用电子磁圆二色技术判定ZnO基稀磁半导体铁磁性内禀属性
- 电子磁圆二色方法(Energy-loss Magnetic Chiral Dichroism,EMCD)基于X射线领域的X射线磁圆二色(XMCD)方法发展而来,在透射电镜中构造特殊的衍射条件,模拟X射线的左旋光和右旋光,...
- 张志华
- 关键词:稀磁半导体
- 文献传递
- 不同反转度下尖晶石型铁酸锌的电子结构和电子能量损失谱研究
- 铁酸锌的化学式是ZnFe2O4,其中Zn离子和Fe离子分别为二价和三价金属阳离子.铁酸锌分为正常的尖晶石结构和反转的尖晶石结构,在正常的尖晶石铁酸锌中所有的Fe3+离子完全占据在八面体位置,完全反转的尖晶石铁酸锌中八面体...
- 张志华孙东
- 焦耳热效应、电击穿和应力对单根GaN纳米线I-V曲线的影响被引量:1
- 2019年
- 利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线I-V曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳米线的I-V曲线.随着连续测量次数的增加,纳米线的温度升高,电流逐渐增加,且I-V曲线由最初的不对称逐渐变得近乎对称;纳米线在较低电压下长时间连续测量后被击穿,I-V曲线对测量次数不再敏感.将GaN纳米线压弯后,电流明显下降,压电效应明显.分析表明,单根纳米线测量时的时间间隔和接触应力情况等是I-V曲线变化的重要因素.本研究可为极性纳米线的原位电学性质研究提供实验参考.
- 陈晓陈晓王岩国谷林
- 关键词:GAN纳米线电击穿压电效应