李文杰
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于SOI结构的SiGe HBT频率特性研究被引量：1
- 2006年
- 基于SOI技术原理,模拟仿真了SOI结构SiGe HBT的频率特性,并与相同条件下体SiGe HBT频率特性进行了比较分析。仿真结果显示,SOI结构中埋氧层BOX的引入,可使SOI结构SiGe HBT集电极-基极电容Ccb和衬底-基极电容Csb最大降幅分别达94.7%和94.6%,且最高振荡频率fmax增加2.7倍。研究结果表明,SOI结构大幅度改善了SiGe HBT的频率性能,适用于高速、高功率集成电路技术。
- 戴广豪李文杰王生荣李竞春杨谟华
- 关键词：SOISIGE异质结晶体管最高振荡频率
- 用于1.5μmBiCMOS技术的SiGeHBT结构及工艺研究
- 2006年
- 基于非选择性外延,基极/发射极自对准和集电区选择性注入,提出了一种可用于1.5μmSiGeBiCMOS集成的HBT器件结构及其制作流程。并利用TSuprem4,Medici进行了工艺模拟和电学特性仿真。模拟结果表明,所设计的SiGeHBT具有良好的电学特性。当Vce为2.5V时,其最大电流增益为385,截止频率达到54GHz,验证了流程设计和器件结构的合理性。
- 李文杰王生荣戴广豪
- 关键词：BICMOSSIGEHBT
- 一种新型2.4 GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器被引量：1
- 2006年
- 基于窄带低噪声放大器理论,设计了一种2.4 GHz,具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGe BiCMOS低噪声放大器。采用TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺库,利用SpectreRF软件的仿真结果显示,该电路具有2.27 dB低噪声系数,11.5 dB正向增益;2 V工作电压下,其功耗仅为6.1 mW。研究结果表明,该低噪声放大器在射频蓝牙系统中具有一定的应用前景。
- 戴广豪李文杰王生荣李竞春杨谟华
- 关键词：SIGEBICMOS低噪声放大器蓝牙系统
- 基于1.5μm BiCMOS工艺的SiGe HBT器件设计优化
- 2006年
- 基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构。该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici进行工艺模拟和电学特性仿真。结果表明,所设计的的SiGe HBT具有良好的电学特性,其最大电流增益为210,当Vce=2.5 V时,截止频率达到65 GHz,验证了器件结构设计的合理性。
- 李文杰戴广豪谭开洲王生荣李竞春杨谟华
- 关键词：SIGEHBTBICMOS工艺快速热退火自对准工艺
- SiGe HBT异质结势垒高度物理模型研究被引量：2
- 2006年
- 基于SiGe HBT异质结势垒效应(HBE)产生的物理机制,综合考虑Ge引入集电区和大电流下电流感应基区中少子浓度对空穴浓度的影响,建立了异质结势垒高度解析模型。结果表明,将Ge引入集电区可有效地推迟HBE发生;同时,考虑少子浓度的影响,势垒高度具有明显的饱和趋势,峰值约为0.07 eV。
- 王生荣戴广豪李文杰傅文渊李竞春杨谟华
- 关键词：SIGEHBT解析模型
- SiGe HBT基区渡越时间研究被引量：1
- 2006年
- 对基于SiGe HBT基区本征载流子浓度和电子迁移率依赖于掺杂、基区Ge组分分布和速度饱和效应的基区渡越时间进行了研究。结果表明,相同Ge组分条件下,基区渡越时间bτ随WB由100 nm减薄到50 nm,降低了74.9%;相同WB,Ge组分为0.15比0.1 Ge组分的bτ减小了33.7%。该研究与其他文献的结果相吻合,可为SiGe HBT基区设计提供一定的理论指导。
- 戴广豪王生荣李文杰李竞春杨谟华
- 关键词：SIGEHBT基区渡越时间
