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文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 6篇SIGE
  • 5篇SIGE_H...
  • 4篇HBT
  • 3篇BICMOS
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇异质结
  • 2篇蓝牙
  • 2篇蓝牙系统
  • 2篇放大器
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  • 1篇振荡频率
  • 1篇时钟
  • 1篇时钟馈通

机构

  • 9篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 9篇戴广豪
  • 7篇杨谟华
  • 6篇李文杰
  • 6篇王生荣
  • 5篇李竞春
  • 2篇于奇
  • 2篇宁宁
  • 2篇王向展
  • 1篇谭开洲
  • 1篇傅文渊
  • 1篇刘源

传媒

  • 5篇微电子学
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2007
  • 7篇2006
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
SiGe HBT噪声模型和BiCMOS LNA研究
无线移动通信技术的迅速发展,对射频前端集成电路提出了更高的性能要求。低噪声放大器作为射频前端电路的第一级有源模块,其噪声系数、增益、线性度和功耗等性能的改善对整个射频前端性能的提高起到重要作用。本文在SiGe HBT S...
戴广豪
关键词:蓝牙系统
A Novel Clock Feedthrough Frequency Compensation for Fast-Settling of Folded-Cascode OTA
2006年
Based on the minimum settling time (MST) theory and step-response analysis of the second order system in active switched capacitor (SC) networks, a novel clock feedthrough frequency compensation (CFFC) method for a folded-cascode OTA is proposed. The damping factor r/is adjusted by using MOS capacitors to introduce clock feedthrough so that the OTA can obtain the MST state and thus achieve fast settling. Research results indicate that the settling time of the compensated OTA is reduced by 22.7% ;as the capacitor load varies from 0.5 to 2.5pF,the improved settling time increases approximately linearly from 3.62 to 4.46ns: for VGA application, fast settling can also be achieved by modifying the MOS capacitor value accordingly when the closed loop gain of the compensated OTA varies.
宁宁于奇王向展戴广豪刘源杨谟华
关键词:VGA
SiGe HBT异质结势垒高度物理模型研究被引量:2
2006年
基于SiGe HBT异质结势垒效应(HBE)产生的物理机制,综合考虑Ge引入集电区和大电流下电流感应基区中少子浓度对空穴浓度的影响,建立了异质结势垒高度解析模型。结果表明,将Ge引入集电区可有效地推迟HBE发生;同时,考虑少子浓度的影响,势垒高度具有明显的饱和趋势,峰值约为0.07 eV。
王生荣戴广豪李文杰傅文渊李竞春杨谟华
关键词:SIGEHBT解析模型
SiGe HBT基区渡越时间研究被引量:1
2006年
对基于SiGe HBT基区本征载流子浓度和电子迁移率依赖于掺杂、基区Ge组分分布和速度饱和效应的基区渡越时间进行了研究。结果表明,相同Ge组分条件下,基区渡越时间bτ随WB由100 nm减薄到50 nm,降低了74.9%;相同WB,Ge组分为0.15比0.1 Ge组分的bτ减小了33.7%。该研究与其他文献的结果相吻合,可为SiGe HBT基区设计提供一定的理论指导。
戴广豪王生荣李文杰李竞春杨谟华
关键词:SIGEHBT基区渡越时间
基于SOI结构的SiGe HBT频率特性研究被引量:1
2006年
基于SOI技术原理,模拟仿真了SOI结构SiGe HBT的频率特性,并与相同条件下体SiGe HBT频率特性进行了比较分析。仿真结果显示,SOI结构中埋氧层BOX的引入,可使SOI结构SiGe HBT集电极-基极电容Ccb和衬底-基极电容Csb最大降幅分别达94.7%和94.6%,且最高振荡频率fmax增加2.7倍。研究结果表明,SOI结构大幅度改善了SiGe HBT的频率性能,适用于高速、高功率集成电路技术。
戴广豪李文杰王生荣李竞春杨谟华
关键词:SOISIGE异质结晶体管最高振荡频率
用于1.5μmBiCMOS技术的SiGeHBT结构及工艺研究
2006年
基于非选择性外延,基极/发射极自对准和集电区选择性注入,提出了一种可用于1.5μmSiGeBiCMOS集成的HBT器件结构及其制作流程。并利用TSuprem4,Medici进行了工艺模拟和电学特性仿真。模拟结果表明,所设计的SiGeHBT具有良好的电学特性。当Vce为2.5V时,其最大电流增益为385,截止频率达到54GHz,验证了流程设计和器件结构的合理性。
李文杰王生荣戴广豪
关键词:BICMOSSIGEHBT
实现折叠共栅共源运放MST的时钟馈通频率补偿方法
2007年
该文基于二阶系统最小建立时间(MST)理论和阶跃响应分析,提出了一种新型的时钟馈通频率补偿方法。该方法通过MOS电容引入时钟馈通进行频率补偿,无需对运放结构和参数进行调整。在Cadence ADE仿真环境下运用SMIC 0.35μm 2P3M Polyside Si CMOS模型参数,对折叠共源共栅放大器进行了模拟分析。结果表明,补偿后的运放实现了MST状态,并缩短了建立时间22.7%,提高了其响应速度。在0.5pF^2.5pF负载电容范围内,其建立时间近似线性变化,且对应每一负载电容值均达到MST状态。该方法可望应用于高速有源开关电容网络及其相关领域。
王向展宁宁于奇戴广豪杨谟华
关键词:时钟馈通开关电容网络
一种新型2.4 GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器被引量:1
2006年
基于窄带低噪声放大器理论,设计了一种2.4 GHz,具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGe BiCMOS低噪声放大器。采用TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺库,利用SpectreRF软件的仿真结果显示,该电路具有2.27 dB低噪声系数,11.5 dB正向增益;2 V工作电压下,其功耗仅为6.1 mW。研究结果表明,该低噪声放大器在射频蓝牙系统中具有一定的应用前景。
戴广豪李文杰王生荣李竞春杨谟华
关键词:SIGEBICMOS低噪声放大器蓝牙系统
基于1.5μm BiCMOS工艺的SiGe HBT器件设计优化
2006年
基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构。该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici进行工艺模拟和电学特性仿真。结果表明,所设计的的SiGe HBT具有良好的电学特性,其最大电流增益为210,当Vce=2.5 V时,截止频率达到65 GHz,验证了器件结构设计的合理性。
李文杰戴广豪谭开洲王生荣李竞春杨谟华
关键词:SIGEHBTBICMOS工艺快速热退火自对准工艺
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