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郑翔

作品数：15 被引量：5H指数：1
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇文化科学

主题

  • 7篇热阻
  • 6篇瞬态
  • 4篇薄层
  • 3篇时间常数
  • 3篇热学
  • 3篇肖特基
  • 3篇肖特基结
  • 3篇测温
  • 2篇等效
  • 2篇等效模型
  • 2篇电流
  • 2篇电学
  • 2篇电压
  • 2篇电压响应
  • 2篇电子俘获
  • 2篇电子器件
  • 2篇瞬态电压
  • 2篇探头
  • 2篇热测试
  • 2篇热源

机构

  • 15篇北京工业大学

作者

  • 15篇郑翔
  • 14篇冯士维
  • 11篇李轩
  • 10篇张亚民
  • 10篇何鑫
  • 3篇史冬
  • 2篇杨军伟
  • 1篇王雨

传媒

  • 1篇电子科技
  • 1篇微纳电子与智...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 1篇2015
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种薄层热阻测试探针的结构及测试方法
一种薄层热阻测试探针的结构及测试方法，属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所述热测试探针结构包括：探头芯片及封装结构。其中：探头芯片包括由多个二极管串联及并联组成的温度探头，掺杂多晶硅图形构成的微加热器，引线电...
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文献传递
一种测量及表征半导体器件陷阱参数的方法
一种测量及表征半导体器件陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN基HEMT器件栅极处以某一偏压下，在其漏源端加上恒定的电压，其漏极电流会随着时间变化。在较低的功率下，自热效应的影响可以忽略，而此时漏源电流的变化完...
冯士维郑翔张亚民杨军伟史冬石帮兵
文献传递
一种异质半导体器件纵向热阻的精确测量方法
一种异质半导体器件纵向热阻的精确测量方法涉及半导体器件可靠性领域。传统的利用恒定小电流下肖特基正向导通结电压温敏特性来直接测量瞬态温度响应曲线的方法忽视了正向测试电流本身对结电压的影响，这部分影响被当做温度的变化错误的计...
冯士维郑翔张亚民石帮兵何鑫李轩
文献传递
瞬态时间常数谱值化分析技术及在GaN基HEMT中的应用被引量：3
2019年
GaN HEMT作为功率、射频器件,是5G通信中核心关键器件。然而,目前其应用可靠性方面仍受到陷阱效应和自热效应的制约。提出了瞬态时间常数谱峰值谱技术的表征技术,有效并定量获取GaN基器件中存在的陷阱及温升构成,主要包括应用瞬态电流法表征器件的深能级陷阱和利用结构函数法提取器件纵向热阻构成的谱值化技术。结合国内外相关研究工作,对这种分析表征手段进行了相关的归纳和总结。给出高达50 V工作电压下HEMT器件的热阻测量结果,对其纵向热阻构成进行了详细地分析。
冯士维郑翔张亚民李轩
一种逐层推移测量多层材料热阻的方法
一种逐层推移测量多层材料热阻的方法属于电子器件电学和热学测量技术领域。装置包括被测材料，热源，温度采集设备和计算机。所述方法测量了热源温度随时间变化的曲线，即瞬态热响应曲线；然后，根据传统结构函数方法得到的热阻信息，进一...
冯士维何鑫白昆郑翔胡朝旭李轩张亚民
文献传递
一种异质半导体器件纵向热阻的精确测量方法
一种异质半导体器件纵向热阻的精确测量方法涉及半导体器件可靠性领域。传统的利用恒定小电流下肖特基正向导通结电压温敏特性来直接测量瞬态温度响应曲线的方法忽视了正向测试电流本身对结电压的影响，这部分影响被当做温度的变化错误的计...
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肖特基结退化对热瞬态测量的影响及修正方法研究
目的：研究GaN HEMT器件中肖特基结的陷阱效应对利用正向肖特基电压测量瞬态温度曲线的影响,对测量结果提出了一种修正方法。方法：通过测量陷阱效应引起的正向电压变化,修正传统方法下瞬态温度曲线中利用结构函数法提取的热阻值...
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关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓肖特基结
一种逐层推移测量多层材料热阻的方法
一种逐层推移测量多层材料热阻的方法属于电子器件电学和热学测量技术领域。装置包括被测材料，热源，温度采集设备和计算机。所述方法测量了热源温度随时间变化的曲线，即瞬态热响应曲线；然后，根据传统结构函数方法得到的热阻信息，进一...
冯士维何鑫白昆郑翔胡朝旭李轩张亚民
一种高精度接触式温度测量方法
本发明公开了一种高精度接触式温度测量方法，属于热学测量技术领域。所述方法包括：制作由PN结组成的半导体测温探头，实现接触式温度测量。测量中采用串联PN结的方式成倍提高正向导通压降的温度系数，减少噪声信号对温度测量的影响，...
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文献传递
一种利用瞬态电压响应表征GaN HEMT器件中陷阱参数的方法
一种利用瞬态电压响应表征GaN HEMT器件中陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN HEMT器件处以某一栅压下，在漏源两端施加一恒定电流，其漏源电压随时间呈现指数增长变化。这种变化是由于陷阱对沟道二维面电子气...
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