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李轩
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35
被引量:14
H指数:2
供职机构:
北京工业大学
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相关领域:
电子电信
文化科学
经济管理
自动化与计算机技术
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合作作者
冯士维
北京工业大学
何鑫
北京工业大学
郑翔
北京工业大学
张亚民
北京工业大学
赵天宇
北京工业大学
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一种异质半导体器件纵向热阻的精确测量方法
一种异质半导体器件纵向热阻的精确测量方法涉及半导体器件可靠性领域。传统的利用恒定小电流下肖特基正向导通结电压温敏特性来直接测量瞬态温度响应曲线的方法忽视了正向测试电流本身对结电压的影响,这部分影响被当做温度的变化错误的计...
冯士维
郑翔
张亚民
石帮兵
何鑫
李轩
一种光电探测器热阻测试装置及方法
本发明公开了一种用于光电探测器热阻测量的光功率及反向偏置控制装置及方法,涉及半导体光电探测器热特性测量技术领域。本发明包括:第一门驱动电路与光功率设置模块连接;第二门驱动电路与绝缘栅开关器件的栅极连接;测试电流源与被测光...
冯士维
鲁晓庄
李轩
白昆
潘世杰
姚占武
尤彬宇
一种摇臂往复式自控程草坪喷头
一种摇臂往复式自控程草坪喷头,该喷头包括摇臂(1)、喷头(2)、变速圈(3);变速圈(3)安装在摇臂(1)上,所述变速圈(3)是一锥形薄壁空心结构,变速圈(3)的壁面上开有不均匀锥形槽;摇臂(1)的转动带动变速圈(3)转...
赵旭
程维虎
刘鑫
付昕炎
张洋
洪今滔
姬庆庆
赵天宇
李轩
瞬态时间常数谱值化分析技术及在GaN基HEMT中的应用
被引量:3
2019年
GaN HEMT作为功率、射频器件,是5G通信中核心关键器件。然而,目前其应用可靠性方面仍受到陷阱效应和自热效应的制约。提出了瞬态时间常数谱峰值谱技术的表征技术,有效并定量获取GaN基器件中存在的陷阱及温升构成,主要包括应用瞬态电流法表征器件的深能级陷阱和利用结构函数法提取器件纵向热阻构成的谱值化技术。结合国内外相关研究工作,对这种分析表征手段进行了相关的归纳和总结。给出高达50 V工作电压下HEMT器件的热阻测量结果,对其纵向热阻构成进行了详细地分析。
冯士维
郑翔
张亚民
李轩
一种用于各向异性材料不同晶向导热系数比检测的装置与方法
一种用于各向异性材料不同晶向导热系数比检测的装置与方法属于新型半导体材料及其可靠性研究领域。针对一些新型半导体器件材料具有明显的散热各向异性(如CNT、GaO等)问题,通过自主设计的高灵敏度、高精度热源芯片和测温芯片对薄...
冯士维
胡朝旭
李轩
鲁晓庄
一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法
一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法涉及半导体器件可靠性领域。传统的利用陷阱释放过程中瞬态漏源电流变化来表征陷阱参数的方法忽视了测试条件引入的陷阱填充对于瞬态电流变化的影响,这部分影响被当作陷阱释放的一部分包含在瞬态...
冯士维
潘世杰
冯子璇
李轩
鲁晓庄
姚占武
一种采用点阵接触方式测量异质结界面热导率的结构及方法
本发明公开了一种采用点阵接触方式测量异质结界面热导率的结构及方法,属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所处测量结构包括:测温芯片和被测样品,其中测温芯片包括由多个二极管或肖特基结串联形成的测温端,以及由多晶硅图...
冯士维
李轩
何鑫
白昆
胡朝旭
一种采用源漏短接减少HEMT热阻测量自激振荡的方法和装置
一种采用源漏短接减少HEMT热阻测量自激振荡的方法和装置,属于半导体器件电学和热学测量技术领域。所述装置包括:HEMT热阻测试仪、防自激电路、测试平台和被测HEMT器件。所述方法包括:将被测HEMT安装于防自激电路中,固...
冯士维
李轩
高一夫
白昆
肖宇轩
张亚民
文献传递
一种逐层推移测量多层材料热阻的方法
一种逐层推移测量多层材料热阻的方法属于电子器件电学和热学测量技术领域。装置包括被测材料,热源,温度采集设备和计算机。所述方法测量了热源温度随时间变化的曲线,即瞬态热响应曲线;然后,根据传统结构函数方法得到的热阻信息,进一...
冯士维
何鑫
白昆
郑翔
胡朝旭
李轩
张亚民
文献传递
一种摇臂往复式自控程草坪喷头
一种摇臂往复式自控程草坪喷头,该喷头包括摇臂(1)、喷头(2)、变速圈(3);变速圈(3)安装在摇臂(1)上,所述变速圈(3)是一锥形薄壁空心结构,变速圈(3)的壁面上开有不均匀锥形槽;摇臂(1)的转动带动变速圈(3)转...
赵旭
程维虎
郭梓旸
付昕炎
张洋
洪今滔
姬庆庆
赵天宇
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