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胡雪卿

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：济南大学更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇理学

主题

  • 2篇电荷
  • 2篇电荷平衡
  • 2篇电子功能材料
  • 2篇钛酸
  • 2篇钛酸铋
  • 2篇钛酸铋钠
  • 2篇钛酸铋钠基
  • 2篇基片
  • 2篇功能材料
  • 2篇硅基
  • 2篇硅基片
  • 2篇掺杂
  • 1篇氧原子
  • 1篇原子
  • 1篇掺杂量

机构

  • 2篇济南大学

作者

  • 2篇杨长红
  • 2篇冯超
  • 2篇韩亚洁
  • 2篇钱进
  • 2篇胡雪卿

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法
本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法。该系列薄膜的化学通式为Na<Sub>0.5</Sub>Bi<Sub>0.5</Sub>Ti<Sub>1-y</Sub>X<Su...
杨长红冯超李姝欣韩亚洁胡雪卿焦芳莹钱进杜雄斌
一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法
本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法。该系列薄膜的化学通式为Na<Sub>0.5</Sub>Bi<Sub>0.5</Sub>Ti<Sub>1‑y</Sub>X<Su...
杨长红冯超李姝欣韩亚洁胡雪卿焦芳莹钱进杜雄斌
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