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邢鼎: 作品数：12 被引量：0H指数：0; 供职机构：西安电子科技大学更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

合作作者

贾护军西安电子科技大学
张航西安电子科技大学
杨银堂西安电子科技大学

作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域

文献类型

11篇专利
1篇学位论文

领域

2篇电子电信

主题

12篇场效应
10篇晶体管
10篇场效应晶体管
7篇金属半导体
7篇沟道
7篇半导体
6篇凹陷
5篇频率特性
5篇金属半导体场...
5篇绝缘衬底
5篇半导体场效应...
5篇4H-SIC
5篇衬底
4篇电极
4篇栅电极
4篇漏极
4篇缓冲层
4篇击穿电压
4篇半绝缘
2篇金属半导体场...

机构

12篇西安电子科技...

作者

12篇邢鼎
11篇张航
11篇贾护军
6篇杨银堂

年份

3篇2018
1篇2017
8篇2015

共 12 条记录，以下是 1-10

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排序方式：

一种具有双凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管: 本发明公开了一种具有双凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，沟道...; 贾护军张航邢鼎; 文献传递

4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法: 本发明公开了一种4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法。其中，该场效应晶体管包括：4H-碳化硅SiC半绝缘衬底；覆盖在4H-SiC半绝缘衬底上的P型缓冲层；覆盖在P型缓冲层上的N型沟道层；其中，N型沟道层包括第一...; 贾护军邢鼎张航; 文献传递

一种具有三凹陷结构的场效应晶体管及其制备方法: 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开了一种具有三凹陷结构的场效应晶体管及其制备方法；旨在提供一种具有宽沟道深凹陷且能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的一种具有三凹陷结构的场效应晶体管及其制备方法；采用的技术方...; 贾护军张航邢鼎杨银堂

4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法: 本发明公开了一种4H‑SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法。其中，该场效应晶体管包括：4H‑碳化硅SiC半绝缘衬底；覆盖在4H‑SiC半绝缘衬底上的P型缓冲层，其中，P型缓冲层包括第一P型缓冲区、第二P型缓冲区和第三...; 贾护军邢鼎张航; 文献传递

一种具有双凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管: 本发明公开了一种具有双凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，沟道...; 贾护军张航邢鼎; 文献传递

具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法: 本发明属于场效应晶体管技术领域，旨在提供一种具有宽沟道深凹陷且能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法；采用的技术方案为：自上而下设置有4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、...; 贾护军张航邢鼎杨银堂; 文献传递

具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法: 本发明属于场效应晶体管技术领域，旨在提供一种具有宽沟道深凹陷且能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法；采用的技术方案为：自上而下设置有4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、...; 贾护军张航邢鼎杨银堂; 文献传递

具有新型栅结构的4H-SiC MESFETs设计及仿真: 4H-SiC场效应晶体管（4H-SiC MESFET）是下一代微波功率器件的理想选择，在微波频段以及高功率输出的半导体器件应用中，4H-SiC MESFET展示出极大的应用价值，在功率器件中极具潜力和竞争力。然而，增加S...; 邢鼎; 关键词：碳化硅场效应晶体管; 文献传递

4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法: 本发明公开了一种4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法。其中，该场效应晶体管包括：4H-碳化硅SiC半绝缘衬底；覆盖在4H-SiC半绝缘衬底上的P型缓冲层，其中，P型缓冲层包括第一P型缓冲区、第二P型缓冲区和第三...; 贾护军邢鼎张航; 文献传递

一种具有宽沟道深凹陷金属半导体场效应管的制备方法: 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开一种具有宽沟道深凹陷金属半导体场效应管的制备方法；解决了现有技术存在的问题，旨在提供一种制作工艺简单且能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的一种具有宽沟道深凹陷金属半导体场效...; 贾护军张航邢鼎杨银堂; 文献传递

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