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胡薇
作品数:
19
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供职机构:
安徽大学
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相关领域:
自动化与计算机技术
电气工程
政治法律
经济管理
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合作作者
吴秀龙
安徽大学
卢文娟
安徽大学
彭春雨
安徽大学
赵强
安徽大学
蔺智挺
安徽大学
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机构
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安徽大学
作者
19篇
胡薇
17篇
吴秀龙
16篇
彭春雨
16篇
卢文娟
13篇
赵强
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蔺智挺
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李鑫
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4篇
陈军宁
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刘玉
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高珊
2篇
王亚玲
年份
8篇
2024
7篇
2023
2篇
2022
2篇
2014
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19
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基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路、芯片
本发明涉及集成电路设计领域,尤其涉及一种基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路、芯片。本发明的基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路采用NMOS晶体管N7、N8和PMOS晶体管P5、P6配合,并采用双字线WL...
胡薇
强斌
彭春雨
卢文娟
赵强
戴成虎
郝礼才
王亚玲
吴秀龙
SRAM存储器的位线泄漏电流补偿电路、模块及存储器
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种SRAM存储器的位线泄漏电流补偿电路,集成位线泄漏电流补偿电路的功能模块,采用该功能模块的数据存储电路及其存储器。位线泄漏电流补偿电路用于连接在SRAM存储器中的存储阵列和灵敏放大...
戴成虎
郑好
彭春雨
杜园园
高珊
卢文娟
赵强
胡薇
郝礼才
蔺智挺
吴秀龙
陈军宁
具有施密特结构的混合型14T-SRAM单元、SRAM电路、芯片
本发明属于静态随机存储器领域,具体涉及一种具有施密特结构的混合型14T‑SRAM单元及其对应的SRAM电路和存储芯片。14T‑SRAM单元由4个P型TFET晶体管,8个N型TFET晶体管,以及2个NMOS管构成。其中,本...
卢文娟
王闯
彭春雨
胡薇
戴成虎
赵强
吴秀龙
陈军宁
双向型动态比较器和电子设备
本申请涉及一种双向型动态比较器和电子设备,动态比较器包括:第一充电模块,包括第一充电单元和第二充电单元,第一充电单元和第二充电单元的输入端均连接电源,第一充电单元和第二充电单元的输出端通过第一开关模块分别连接预放大电路的...
蔺智挺
刘浩龙
彭春雨
戴成虎
赵强
吴秀龙
卢文娟
胡薇
刘玉
郝礼才
周永亮
李鑫
具有施密特结构的混合型14T-SRAM单元、SRAM电路、芯片
本发明属于静态随机存储器领域,具体涉及一种具有施密特结构的混合型14T‑SRAM单元及其对应的SRAM电路和存储芯片。14T‑SRAM单元由4个P型TFET晶体管,8个N型TFET晶体管,以及2个NMOS管构成。其中,本...
卢文娟
王闯
彭春雨
胡薇
戴成虎
赵强
吴秀龙
陈军宁
两字节乘法电路及其任意位宽为2次幂的乘法电路与芯片
本发明涉及两字节乘法电路及其任意位宽为2次幂的乘法电路与芯片。所述两字节乘法电路包括四个与门电路和两个半加器电路。每个半加器电路包括三个PMOS晶体管和三个NMOS晶体管。半加器电路结构在仅用六个晶体管的情况下能达到全摆...
强斌
董琛
胡薇
彭春雨
卢文娟
赵强
蔺智挺
吴秀龙
一种电流域8TSRAM单元及动态自适应量化的存算电路
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种电流域8TSRAM单元、一种动态自适应量化的存算电路、CIM电路及其芯片。其由2个PMOS管P1~P2,6个NMOS管N1~N6构成;其中,P1、P2、N1~N4构成经典的具有两个...
蔺智挺
柳云龙
李劲铮
袁子凡
吴秀龙
彭春雨
戴成虎
赵强
卢文娟
胡薇
郝礼才
周永亮
李鑫
TIADC采样时间失配误差提取及校准方法、校准装置
本发明涉及高速模数转换技术领域,具体涉及针对TIADC采样时间失配误差提取及校准方法、使用了该种失配误差提取及校准方法的校准装置。本发明可以精确快速的提取TIADC系统中由于各种原因导致的采样时间失配数据,从而显著的提高...
李鑫
张永
彭春雨
戴成虎
胡薇
蔺智挺
吴秀龙
一种14T-TFET-SRAM单元电路、模块及阵列
本发明涉及集成电路设计技术领域,更具体的,涉及一种14T‑TFET‑SRAM单元电路、模块及阵列。本发明的单元电路包括6个PTFET晶体管P1~P6、8个NTFET晶体管N1~N8。本发明充分利用了低电压下TFET晶体管...
卢文娟
张其众
胡薇
吴秀龙
基于重心领域最优估计算法的双次级永磁同步直线电机优化设计
双次级永磁同步直线电机由于结构简单、响应速度快、定位精确等优点,在数控机床上的应用前景广阔。但是直线电机的结构变化对电机的推力和电流影响较大,为了提高直线电机的推力品质,在工程实践中得到高性能的直线电机,对其结构参数进行...
胡薇
关键词:
永磁同步直线电机
遗传算法
优化设计
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