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卢文娟

作品数：194 被引量：1H指数：1
供职机构：安徽大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 189篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 65篇自动化与计算...
  • 30篇电子电信
  • 4篇文化科学
  • 2篇电气工程
  • 2篇航空宇航科学...

主题

  • 123篇电路
  • 34篇芯片
  • 33篇电路结构
  • 33篇存储器
  • 32篇灵敏放大器
  • 32篇功耗
  • 27篇反相器
  • 26篇电压
  • 25篇SRAM
  • 22篇裕度
  • 19篇随机存储器
  • 18篇静态功耗
  • 17篇低功耗
  • 17篇读写
  • 17篇失调电压
  • 17篇静态随机存储...
  • 17篇集成电路
  • 16篇锁存
  • 13篇晶体管
  • 12篇单元电路

机构

  • 194篇安徽大学
  • 4篇长鑫存储技术...
  • 3篇合肥海图微电...
  • 2篇上海高性能集...

作者

  • 194篇卢文娟
  • 178篇彭春雨
  • 169篇吴秀龙
  • 157篇蔺智挺
  • 105篇陈军宁
  • 88篇赵强
  • 33篇周永亮
  • 28篇高珊
  • 20篇李正平
  • 18篇谭守标
  • 17篇李鑫
  • 16篇胡薇
  • 14篇刘玉
  • 13篇关立军
  • 6篇张劲
  • 3篇汪婷
  • 3篇王亚玲
  • 3篇赵悦
  • 3篇李鹏飞
  • 3篇黄震

传媒

  • 2篇电气电子教学...
  • 2篇中国集成电路

年份

  • 31篇2024
  • 50篇2023
  • 41篇2022
  • 16篇2021
  • 21篇2020
  • 15篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2016
  • 9篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 194 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于提高内存内计算线性度和一致性的电路
本发明公开了一种用于提高内存内计算线性度和一致性的电路，包括具有双字线的6T SRAM存储阵列、字线控制模块、模式选择模块、时序控制模块、预充模块、电流镜模块、开关模块和缓冲器模块，6T SRAM存储阵列分别与所述预充模...
蔺智挺曹旭龙占红兰陈中伟钮建超吴秀龙赵强彭春雨卢文娟黎轩陈军宁
文献传递
一种单端输入的精度可配置的SAR-ADC及其芯片
本发明属于集成电路领域，具体涉及一种单端输入的精度可配置的SAR‑ADC及其芯片。支持对输入的信号电压按照不同的精度等级进行量化。该SAR‑ADC包括CDAC电容阵列、比较电路和异步逐次逼近逻辑电路三个部分，其中，CDA...
彭春雨李嘉祥关立军戴成虎卢文娟吴秀龙蔺智挺陈军宁
一种9T存算电路、乘累加运算电路、存内运算电路及芯片
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种读裕度增强型存储阵列，一种9T存算电路、一种乘累加运算电路、基于9Tsram的存内运算电路，以及基于9Tsram的CIM芯片。其中，9T存算电路包括基础的的6T存储单元和由额外的三...
吴秀龙李子健蔺智挺彭春雨卢文娟
一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路
本实用新型公开了一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路，其利用TFET相比于MOSFET具有更小的亚阈值摆幅和更高的开关比等特性，不仅解决了传统MOSFET SRAM单元结构的静态功耗大的问题，在...
卢文娟董兰志彭春雨吴秀龙蔺智挺陈军宁
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一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路
本实用新型公开了一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路，该电路包括：四个PMOS管P1～P4和八个NMOS管N1～N8；其中，NMOS管N1和PMOS管P1组成一个反相器A1，该反相器A1输入端接字线...
李正平闫锦龙卢文娟陶有武彭春雨谭守标陈军宁周永亮
文献传递
具有高写裕度的9T TFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路
本发明公开了一种具有高写裕度的9T TFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路，单元的整体结构采用了读写分离的方式，单元电路的主体采用TFET器件，传输管部分采用了TFET器件与MOSFET器件组合方式，既克服了堆...
卢文娟董兰志彭春雨吴秀龙蔺智挺陈军宁
文献传递
抗辐射锁存器电路、电子设备和航空器
本申请涉及一种抗辐射锁存器电路、电子设备和航空器，锁存器电路包括：存储模块；存储模块包括十个NMOS管和四个PMOS管以及六个存储节点。其中，第一存储节点、第二存储节点、第三存储节点、第四存储节点均由NMOS晶体管包围，...
彭春雨李洋赵强郝礼才刘天翔卢文娟蔺智挺吴秀龙
一种用于SRAM阵列的列移位多位乘法二进制分解运算的电路结构
本发明公开了一种用于SRAM阵列的列移位多位乘法二进制分解运算的电路结构，所述电路包括N列6T SRAM单元组成的SRAM阵列、K个开关Sk构成的开关组、M个存储电容构成的存储电容组Cm；被乘数X的二进制位存储在同一行中...
蔺智挺刘立张劲吴秀龙彭春雨卢文娟赵强陈军宁
文献传递
一种在存储器中结合电容实现乘法的SRAM电路结构
本发明公开了一种在存储器中结合电容实现乘法的SRAM电路结构，通过将被乘数与乘数分别存储在6T SRAM单元与WL内，被乘数的十进制数值由单元的6T SRAM WL开启时间决定，乘数数值的正负由左字线(WL Left，缩...
蔺智挺张劲赵强吴秀龙彭春雨卢文娟黎轩陈军宁
文献传递
一种基于静态随机存储器内存内减法的电路结构
本发明公开了一种基于静态随机存储器内存内减法的电路结构，包括整体时序控制模块、行地址译码模块、列地址译码模块、SRAM存储阵列、字线选择模块和输出模块，整体时序控制模块与行地址译码模块、列地址译码模块、字线选择模块和输出...
蔺智挺陈崇貌吴秀龙彭春雨黎轩卢文娟谢军欧阳春黎力
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