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马英杰

作品数:39 被引量:13H指数:3
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市青年科技启明星计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程文化科学更多>>

文献类型

  • 18篇会议论文
  • 13篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 29篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 17篇探测器
  • 12篇光电
  • 9篇光电探测
  • 9篇光电探测器
  • 9篇INP基
  • 7篇晶格
  • 7篇分子束
  • 7篇分子束外延
  • 7篇IN0
  • 7篇波长
  • 6篇雪崩
  • 6篇缓冲层
  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 6篇半导体
  • 5篇红外
  • 4篇雪崩光电探测...
  • 4篇磷化铟
  • 4篇截止波长
  • 4篇过渡层

机构

  • 39篇中国科学院
  • 4篇中国科学院大...
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇查尔姆斯理工...

作者

  • 39篇马英杰
  • 37篇顾溢
  • 37篇张永刚
  • 29篇陈星佑
  • 20篇杜奔
  • 9篇周立
  • 8篇李爱珍
  • 7篇龚谦
  • 3篇曹远迎
  • 2篇李耀耀
  • 1篇李晓良
  • 1篇王庶民
  • 1篇方家熊
  • 1篇方祥
  • 1篇王凯
  • 1篇龚海梅
  • 1篇徐飞
  • 1篇邵秀梅

传媒

  • 6篇红外与毫米波...
  • 4篇第十一届全国...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 19篇2017
  • 4篇2016
  • 9篇2015
39 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
FTIR测量的宽波数范围发射光谱强度校正被引量:3
2016年
针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的样品为例用此方案测量校正了室温下测得的光荧光谱,并对校正前后的结果进行了比对分析,获得了与实际符合的结论.结果表明采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得宽波数范围内的有效发光强度信息.
张永刚奚苏萍周立顾溢陈星佑马英杰杜奔
关键词:发射光谱发光强度光荧光傅里叶变换
一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法
本发明涉及一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法,包括:采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层,用两个或以上气态源进行生长,III族束源为固态,束流由快门切...
陈星佑张永刚顾溢马英杰
文献传递
2~3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器被引量:1
2016年
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2~3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索,包括采用赝配三角形量子阱方案的2~2.5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2.5~3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1.7μm的高In组分InGaAs光电探测器等,这些器件结构均采用GSMBE方法生长,其中2.5μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用,2.9μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射,含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2.6μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小,此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制.
张永刚顾溢陈星佑马英杰曹远迎周立奚苏萍杜奔李爱珍李好斯白音
关键词:半导体激光器光电探测器气态源分子束外延
N-型In0.83Ga0.17As中的载流子散射和弛豫动力学过程
马英杰顾溢张永刚陈星佑奚苏萍周立
Ⅲ-Ⅴ雪崩光电探测器:低电压、波长延伸及量子倍增增强
本报告将介绍在InGaAs APD方面的持续探索,包括低电压型InGaAsAPD,波长延伸型InGaAs APD,和采用量子点倍增增强结构的GaAs APD概念演示器件。其中低电压型器件采用薄InAlAs电子倍增层和倍增...
马英杰张永刚顾溢陈星佑奚苏萍杜奔师艳辉纪婉嫣李爱珍
关键词:雪崩光电探测器电压控制
不同缓冲层类型对InP基In0.83Ga0.17As探测器性能的影响
波长大于1.7 μm的高In组分InGaAs短波红外探测器由于其在红外遥感、夜视、光谱测量等方面都有着重要应用[1-3],引起了越来越多的关注.如果高In组分InxGa1-xAs(x>0.53)吸收层直接生长在InP衬底...
奚苏萍顾溢张永刚陈星佑马英杰周立杜奔李爱珍李好斯白音
InP基2-3微米波段无锑量子阱激光器
顾溢张永刚陈星佑马英杰周立奚苏萍杜奔
GSMBE生长中Bi表面剂对InP基应变量子阱激光器的影响
2-3μm半导体激光器在气体检测、医学诊断、分子光谱学和空间点对点通讯等方面都吸引着人们越来越多的关注.该波段激光器的材料体系主要包括GaSb基和InP基两种.相比于锑化物材料体系,InP基材料体系在材料生长和器件工艺上...
纪婉嫣顾溢陈星佑龚谦马英杰张永刚杜奔师艳辉张见
关键词:量子阱激光器分子束外延生长性能表征
FTIR测量的量子型光电探测器响应光谱校正被引量:4
2015年
针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对多种短波红外InGaAs光电探测器进行了测量校正,获得了与实际符合的响应光谱.为验证方案的适用性,还与采用经精确标定的光栅分光测量系统测得的结果进行了比对,确认了其适用性.结果表明,采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得符合实际的响应光谱.
张永刚周立顾溢马英杰陈星佑邵秀梅龚海梅方家熊
关键词:响应光谱光电探测器傅里叶变换红外
一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构
本发明涉及一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构,在InP衬底上采用周期性In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As多量子阱耦合超晶格结构,每个超晶格周期包含有一个量子阱层和一个势垒层,采...
马英杰张永刚顾溢陈星佑
共4页<1234>
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