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陈星佑

作品数：39 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市青年科技启明星计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇会议论文
  • 9篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 27篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 18篇探测器
  • 10篇INP基
  • 9篇光电
  • 8篇光电探测
  • 8篇光电探测器
  • 8篇IN0
  • 7篇缓冲层
  • 7篇波长
  • 6篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 6篇半导体
  • 6篇INGAAS...
  • 6篇INGAAS
  • 5篇磷化铟
  • 5篇晶格
  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 5篇红外
  • 4篇雪崩
  • 4篇雪崩光电探测...

机构

  • 34篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇上海科技大学

作者

  • 34篇顾溢
  • 34篇张永刚
  • 34篇陈星佑
  • 26篇马英杰
  • 18篇杜奔
  • 12篇周立
  • 8篇李爱珍
  • 7篇曹远迎
  • 3篇龚谦
  • 3篇方祥
  • 1篇李耀耀
  • 1篇王凯

传媒

  • 5篇第十届全国分...
  • 4篇红外与毫米波...
  • 4篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 14篇2017
  • 5篇2016
  • 7篇2015
  • 6篇2013
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
FTIR测量的宽波数范围发射光谱强度校正被引量：3
2016年
针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的样品为例用此方案测量校正了室温下测得的光荧光谱,并对校正前后的结果进行了比对分析,获得了与实际符合的结论.结果表明采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得宽波数范围内的有效发光强度信息.
张永刚奚苏萍周立顾溢陈星佑马英杰杜奔
关键词：发射光谱发光强度光荧光傅里叶变换
一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法
本发明涉及一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法，包括：采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层，用两个或以上气态源进行生长，III族束源为固态，束流由快门切...
陈星佑张永刚顾溢马英杰
文献传递
2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器被引量：1
2016年
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2．5～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1．7μm的高In组分InGaAs光电探测器等，这些器件结构均采用GSMBE方法生长，其中2．5μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用，2．9μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射，含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2．6μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小，此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制．
张永刚顾溢陈星佑马英杰曹远迎周立奚苏萍杜奔李爱珍李好斯白音
关键词：半导体激光器光电探测器气态源分子束外延
N-型In0.83Ga0.17As中的载流子散射和弛豫动力学过程
马英杰顾溢张永刚陈星佑奚苏萍周立
Ⅲ-Ⅴ雪崩光电探测器:低电压、波长延伸及量子倍增增强
本报告将介绍在InGaAs APD方面的持续探索，包括低电压型InGaAsAPD，波长延伸型InGaAs APD,和采用量子点倍增增强结构的GaAs APD概念演示器件。其中低电压型器件采用薄InAlAs电子倍增层和倍增...
马英杰张永刚顾溢陈星佑奚苏萍杜奔师艳辉纪婉嫣李爱珍
关键词：雪崩光电探测器电压控制
不同缓冲层类型对InP基In0.83Ga0.17As探测器性能的影响
波长大于1.7 μm的高In组分InGaAs短波红外探测器由于其在红外遥感、夜视、光谱测量等方面都有着重要应用[1-3],引起了越来越多的关注.如果高In组分InxGa1-xAs(x＞0.53)吸收层直接生长在InP衬底...
奚苏萍顾溢张永刚陈星佑马英杰周立杜奔李爱珍李好斯白音
失配递变速率对InGaAs线性异变缓冲层的影响
本文中，采用气态源分子束外延技术在InP(001)衬底上直接生长了失配递变速率分别为1.2 ％μm-1和3.1％μm-1的线性缓冲层样品，研究失配递变速率对线性异变缓冲层的影响。原子力显微镜照片显示两样品表面均出现明显的...
方祥顾溢陈星佑周立曹远迎李好斯白音张永刚
关键词：红外探测器
文献传递
一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法
本发明涉及一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法，包括：采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层，用两个或以上气态源进行生长，III族束源为固态，束流由快门切...
陈星佑张永刚顾溢马英杰
一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构
本发明涉及一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，在InP衬底上采用周期性In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As多量子阱耦合超晶格结构，每个超晶格周期包含有一个量子阱层和一个势垒层，采...
马英杰张永刚顾溢陈星佑
一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层
本发明涉及一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层，在半导体衬底上外延InAs突变弛豫层，随后在InAs突变弛豫层上外延In组分反向递变的砷化物异变结构材料作为缓冲层。本发明的探测器结构可拓展半导体衬底上波长...
陈星佑顾溢张永刚奚苏萍
文献传递
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