- 磁控溅射工艺引起硅表面超薄钝化层电子结构变化被引量：2
- 2015年
- 通过真空热退火、有效少子寿命（πeff）的测量（利用微波光电导衰减μ-PCD法）和表面-界面光电子能谱分析（X-ray Photoemission Spectroscopy,XPS）等方法,研究了磁控溅射沉积ITO（Indium Tin Oxide）薄膜过程中,等离子体中载能粒子束（原子/离子和紫外辉光）对超薄Si Ox（1.5~2.0 nm）/c-Si（150μm）样品界面区的原子成键和电子态的损伤问题,并就ITO薄膜的硅表面电子态有效钝化功能进行了研究.结果表明,溅射沉积ITO薄膜材料后该样品的πeff衰减了90%以上,从105μs减少到5μs.但是,适当退火条件可以恢复少子寿命到30μs,表明Si Ox/c-Si之间界面态的降低有助于改善氧化层的钝化效果.ITO薄膜和c-Si之间Si Ox薄层的形成和它的结构随退火温度的变化,是导致界面态、少子寿命变化的主要原因,且得到了XPS深度剖析分析的确认.
- 高明杜汇伟杨洁陈姝敏徐静马忠权
- 关键词：真空退火XPS
