杜汇伟
- 作品数：14 被引量：6H指数：2
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会基础研究重点项目上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 沉积压强对非晶硅薄膜光学性能和微结构的影响被引量：2
- 2012年
- 为研究沉积压强对非晶硅薄膜光学性能和结构的影响,通过改变沉积压强并采用射频磁控溅射制备a-S∶iH薄膜。借助椭偏仪、紫外可见分光光度计和拉曼光谱来分析薄膜的光学性能和微结构。研究发现,在较低沉积压强下薄膜的致密度得到提高,光学带隙偏小,折射率和消光系数较大,短程序和中程序得到改善,体内缺陷较少。并且椭偏拟合参数A越大,意味着薄膜的质量越好。结果表明,沉积气压确实对薄膜的微结构和光学性能具有重要影响。
- 丁虎马忠权赵磊杜汇伟杨洁周丽丽
- 关键词：光学性能拉曼散射微结构
- 硅基异质结SIS结构太阳电池的制备方法
- 本发明公开了一种硅基异质结SIS结构太阳电池的制备方法，用n-型电导、晶向为（100）、电阻率为1.0~2.0Ω·cm、厚度为130~180μm的硅单晶片为衬底，经化学清洗及制绒后，利用磁控溅射工艺制备ITO薄膜，在磁控...
- 马忠权杜汇伟杨洁
- 文献传递
- 新型太阳能电池中纳米碳薄膜材料的制备及结构研究
- 陈姝敏杨洁赵嘉渊曹汝楠杜汇伟丁晶马忠权
- 超薄SiO_x钝化层所导致的半导体-绝缘体-半导体异质结高频隧道电容溢出现象
- 2017年
- 从高频电容电压特性测试中发现的隧道电容溢出现象出发,研究了具有超薄钝化层的半导体-绝缘体-半导体(semiconductor-insulator-semiconductor SIS)异质结器件界面处独特的电荷存储特性.从SIS 1 MHz频率下的CV特性可知,当外加偏压小于V_T(voltage tunneling)时,SIS界面处于耗尽状态,而当外加栅压超过V_T之后,SIS的高频电容将远超仪器量程趋于无穷大,可概括称为隧道电容溢出现象.从SIS的XPS(X-ray photoemission spectroscopy)深度剖析结果可知,具有不同厚度的ITO(indium tin oxide)的SIS器件界面钝化层所含元素组分并无差别.但从TEM(transparent electron microscope)的结果来看,钝化层厚度随ITO的增加而增加,分析表明不同ITO厚度的SIS所对应V_T值不同的主要原因是由于钝化层厚度的不同.通过对实验结果的分析,本文给出了隧道电容溢出现象的载流子输运的能带模型.结果表明,隧道电容溢出是由于超薄钝化层无法使大量电子在界面处积累所致.且同一器件隧道电容溢出现象是可重复的,不会对器件带来物理损伤,这是采用直接磁控溅射工艺制备SIS异质结太阳电池稳定性的体现.
- 李勇高明万亚州杜汇伟陈姝敏马忠权
- 关键词：异质结太阳电池
- 提高硅纳米墙光电器件背部欧姆接触的超声修饰方法
- 2013年
- 提供了一种硅纳米墙结构器件的背面电极接触改善方法。通过利用超声的方法修饰金属催化法制备的硅纳米墙结构,并制备了AZO/硅纳米墙异质结光电器件。研究发现超声波可以对金属催化法制备的纳米硅墙进行单面修饰,与未经超声修饰的样品制备的器件相比,超声修饰能够改善硅纳米墙器件的背面电极欧姆接触,2min的超声修饰可以将器件的串联电阻从5.87Ω下降到0.82Ω,填充因子提高86%,光电转换效率提高76.2%,提高了光电器件的载流子收集效率。
- 周平华徐飞杜汇伟杨洁石建伟马忠权
- 关键词：欧姆接触
- 磁控溅射工艺引起硅表面超薄钝化层电子结构变化被引量：2
- 2015年
- 通过真空热退火、有效少子寿命（πeff）的测量（利用微波光电导衰减μ-PCD法）和表面-界面光电子能谱分析（X-ray Photoemission Spectroscopy,XPS）等方法,研究了磁控溅射沉积ITO（Indium Tin Oxide）薄膜过程中,等离子体中载能粒子束（原子/离子和紫外辉光）对超薄Si Ox（1.5~2.0 nm）/c-Si（150μm）样品界面区的原子成键和电子态的损伤问题,并就ITO薄膜的硅表面电子态有效钝化功能进行了研究.结果表明,溅射沉积ITO薄膜材料后该样品的πeff衰减了90%以上,从105μs减少到5μs.但是,适当退火条件可以恢复少子寿命到30μs,表明Si Ox/c-Si之间界面态的降低有助于改善氧化层的钝化效果.ITO薄膜和c-Si之间Si Ox薄层的形成和它的结构随退火温度的变化,是导致界面态、少子寿命变化的主要原因,且得到了XPS深度剖析分析的确认.
- 高明杜汇伟杨洁陈姝敏徐静马忠权
- 关键词：真空退火XPS
- 硅基SIS结构旁路二极管和HIT太阳电池的器件集成方法
- 本发明公开了一种硅基SIS结构旁路二极管和HIT太阳电池的器件集成方法，采用磁控溅射技术制备TCO导电氧化物薄膜，采用等离子增强化学气相沉积方法制备本征和掺杂氢化非晶硅薄膜，采用化学溶液氧化或快速热氧化生长超薄SiO<S...
- 马忠权杜汇伟杨洁
- 采用UPS测量太阳能级单晶硅表面功函数
- 2p3/2态峰位的化学位移量与截止边的化学位移量(UPS谱线的化学位移量)非常接近，如果选择刻蚀后Si2p3/2态的峰位99.24eV作为标准峰位，这与之前报道的Si2p3/2标准峰位一致，那么直接利用XPS测试硅片表面...
- 高明杜汇伟杨洁陈姝敏徐静马忠权
- 关键词：太阳电池单晶硅片
- 织构单晶硅表面上银纳米颗粒的制备及其反射性质研究
- 2012年
- 为减少光反射损失,通过热蒸发在织构单晶硅(经含有碱液和添加剂的特殊溶液80°C腐蚀30min而成)表面上沉积了一定厚度的银膜后经一定温度(0～500°C)退火形成银纳米颗粒。SEM下观察到,银纳米颗粒的大小和形状与退火温度有很大关系。银纳米颗粒表现出的等离激元性质对反射谱有影响。实验分析得到,Ag沉积质量是0.003 8g,400°C N2退火20min时样品的反射率和反射率降低(REF<1)的波段达到最佳匹配。另外,金字塔上银纳米颗粒的均匀性与沉积的厚度有关。
- 周丽丽马忠权杜汇伟丁虎石建伟杨洁
- 关键词：热蒸发银纳米颗粒等离激元
- 铒铥共掺氧化锌薄膜近红外宽带发射及变温行为的研究
- 2015年
- 采用磁控共溅射技术制备了铒铥共掺杂氧化锌发光薄膜.通过优化退火温度,实现了薄膜的近红外平坦宽带发射,总带宽可达到～500 nm,覆盖了光通信S+C+L+U区波段.此发射带由Er3+的1535 nm(4I13/2→4I15/2)发射峰及Tm3+的1460 nm(3H4→3F4),1640 nm(1G4→3F2),1740 nm(3F4→3H6)发射峰组成.研究表明:退火温度低于800°C时,没有观察到薄膜样品明显的光致发光现象;随着退火温度从800°C升高到1000°C,I1640/I1535发射峰强度比从0.2升高到0.3,I1740/I1535发射峰强度比从0.5降低到0.4,发射峰强度比均基本保持稳定;当退火温度高于1000°C时,I1640/I1535发射峰强度比从0.3升高到0.6,I1740/I1535发射峰强度比从0.4升高到0.8,发射峰强度比均急剧增加.变温行为表明:随着温度从10 K逐渐升高到300 K,谱线的总带宽基本不变,在340—360 nm之间;Tm3+在1640和1740 nm处的发射峰强度分别降低了2/3和1/2,Er3+在1535 nm的发射峰强度增大了1.2倍.这是因为随着温度的升高,声子数目增多,Er3+与Tm3+离子之间发生能量传递的概率不断变大,并且在Tm3+离子之间没有发生交叉弛豫现象.
- 陈丹丹徐飞曹汝楠蒋最敏马忠权杨洁杜汇伟洪峰
- 关键词：稀土掺杂氧化锌薄膜退火处理
