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程东明

作品数:9 被引量:20H指数:3
供职机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金:吉林省科委资助项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 9篇激光
  • 8篇激光器
  • 8篇半导体
  • 7篇半导体激光
  • 7篇半导体激光器
  • 4篇列阵
  • 4篇激光器列阵
  • 4篇半导体激光器...
  • 2篇摄像系统
  • 2篇气体
  • 2篇腔面
  • 2篇自对准
  • 2篇炉子
  • 2篇化学试剂
  • 2篇激光二极管
  • 2篇监视系统
  • 2篇焊料
  • 2篇烘烤
  • 2篇惰性气体
  • 2篇二极管

机构

  • 9篇中国科学院长...
  • 2篇吉林大学

作者

  • 9篇王立军
  • 9篇程东明
  • 5篇刘云
  • 4篇王乐
  • 4篇曹玉莲
  • 3篇廖新胜
  • 1篇潘玉寨
  • 1篇宋晓舒

传媒

  • 2篇发光学报
  • 2篇半导体光电
  • 1篇激光技术

年份

  • 2篇2005
  • 4篇2003
  • 3篇2002
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
薄膜焊料的制作方法
本发明适用于半导体激光器列阵组装的薄膜焊料。首先清洗并烘干玻璃片;把玻璃片均匀地涂上载体,然后烘烤,再涂上载体,再烘烤;热蒸发形成薄膜焊料,把带有薄膜焊料的玻璃片放在化学试剂中浸泡并从玻璃片上脱落,据需要对薄膜焊料进行清...
程东明王立军
文献传递
半导体激光器中的光学灾变被引量:5
2002年
介绍了用 (NH4 ) 2 S和P2 S5 NH4 OH处理半导体激光器的表面来避免光学灾变的方法。
程东明宋晓舒刘云王立军王乐曹玉莲
关键词:半导体激光器氮离子注入
大功率半导体激光器的可靠性研究被引量:8
2003年
对InGaAs/AlGaAs和InGaAsP/GaAs有源区含铝的 915nm和无铝的 80 8nm腔面镀膜及未镀膜的大功率半导体激光器进行了老化实验。在老化前通过综合参数测试仪测试两种激光器的斜率效率、阈值电流 ,发现有腔面膜的激光器比无腔面膜的激光器的阈值电流降低 2 5 %以上。在 1 2倍阈值电流下 ,恒流老化 40h左右 ,老化后再分别测试它们的阈值电流、功率参数 ,我们发现在老化后未镀膜的激光器的阈值电流和镀有腔面膜的激光器相比增加 2 5mA以上 ,输出功率也比镀过腔面膜的减小到了原来的 1/ 2 ,可见腔面保护对于延长激光器的寿命是很重要的。
曹玉莲王乐廖新胜程东明刘云王立军
关键词:大功率半导体激光器可靠性
高功率半导体量子阱激光器测试中的灾变性损伤被引量:3
2002年
在使用综合参数测试仪测试 80 8nm发射的半导体量子阱激光器的过程中 ,出现了一种由电浪涌所导致的灾变性损伤。通过测试的功率曲线和伏安特性曲线 ,断定激光器出现了灾变性的损伤 ,同时测试的发射光谱不再是激射光谱 ,而是由自发辐射所产生的荧光光谱。由扫描电镜 (SEM )观察到了激光器的腔面膜出现了熔化 ,证实激光器的确发生了灾变性损伤。作为对比 ,我们引用了另一种在测试中发现的快速退化现象 ,对两种退化出现的原因进行了理论上的分析 ,了解到激光器的退化主要还是由器件本身的材料、结构以及后期的工艺过程所决定的 ,在测试器件过程中电浪涌只不过会加速或产生突然灾变性退化。通过测试我们建立了一种比较简单的检验一个激光器质量可靠性的方法 。
曹玉莲王乐潘玉寨廖新胜程东明刘云王立军
关键词:量子阱激光器激光二极管
半导体激光器列阵的组装设备
本发明适用于半导体激光器列阵的组装和烧结。包括炉体、温控系统、摄像系统、显微镜、电源,这种炉子集组装、烧结、观测为一体。解决了组装过程中的管芯对准问题,并能精确控温及迅速降温。组装好激光器列阵后,不用把激光器移动而进行烧...
程东明王立军
文献传递
半导体激光器列阵的组装设备
本发明适用于半导体激光器列阵的组装和烧结。包括炉体、温控系统、摄像系统、显微镜、电源,这种炉子集组装、烧结、观测为一体。解决了组装过程中的管芯对准问题,并能精确控温及迅速降温。组装好激光器列阵后,不用把激光器移动而进行烧...
程东明王立军
文献传递
表面钝化技术对光学灾变的影响的研究被引量:5
2003年
介绍了对半导体激光器的腔面进行钝化处理的方法 ,分别采用几种不同的试剂对腔面进行处理 ,得出不同的结果。实验表明 ,用P2 S5/NH4OH和 (NH4) 2 Sx 共同处理的样品在较高功率时开始发生光学灾变。
程东明刘云王立军
关键词:半导体激光器表面钝化腔面
薄膜焊料的制作方法
本发明适用于半导体激光器列阵组装的薄膜焊料。首先清洗并烘干玻璃片;把玻璃片均匀地涂上载体,然后烘烤,再涂上载体,再烘烤;热蒸发形成薄膜焊料,把带有薄膜焊料的玻璃片放在化学试剂中浸泡并从玻璃片上脱落,据需要对薄膜焊料进行清...
程东明王立军
文献传递
940nm高功率激光二极管及线阵
2002年
设计并制作出了 94 0nm无铝有源区高功率激光二极管和激光条。通过MOCVD法生长出应变量子阱材料 ,器件显示出极好的性能 ,10 0 μm条宽的激光二极管最大输出功率达80 0mW (室温 ) ,填充因子为 17%的激光二极管条发射功率达 32W。
王乐曹玉莲刘云廖新胜程东明王立军
关键词:MOCVD激光二极管阵列
共1页<1>
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