王乐
- 作品数：6 被引量：26H指数：4
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 大功率半导体激光器的可靠性研究被引量：8
- 2003年
- 对InGaAs/AlGaAs和InGaAsP/GaAs有源区含铝的 915nm和无铝的 80 8nm腔面镀膜及未镀膜的大功率半导体激光器进行了老化实验。在老化前通过综合参数测试仪测试两种激光器的斜率效率、阈值电流 ,发现有腔面膜的激光器比无腔面膜的激光器的阈值电流降低 2 5 %以上。在 1 2倍阈值电流下 ,恒流老化 40h左右 ,老化后再分别测试它们的阈值电流、功率参数 ,我们发现在老化后未镀膜的激光器的阈值电流和镀有腔面膜的激光器相比增加 2 5mA以上 ,输出功率也比镀过腔面膜的减小到了原来的 1/ 2 ,可见腔面保护对于延长激光器的寿命是很重要的。
- 曹玉莲王乐廖新胜程东明刘云王立军
- 关键词：大功率半导体激光器可靠性
- 高功率激光二极管阵列及其应用被引量：7
- 2002年
- 主要概述了二极管阵列条的纵向及有源区的选择方案 ,讨论了如何解决高功率激光二极管阵列的散热问题及其组装技术 ,详细介绍了阵列条的光电特性以及迭阵光耦合。研究表明 ,高功率激光二极管具有高功率 ,小尺寸 ,高可靠性 ,全固态 ,操作方便等优点。随着输出功率及光束质量的提高 。
- 王乐曹玉莲刘云王立军
- 关键词：二极管阵列光耦合散热
- 高功率激光二极管的可靠性研究被引量：4
- 2003年
- 在使用综合参数测试仪测试半导体量子阱激光器的过程中,通过测试的功率曲线和伏安特性,断定激光器受到损伤,由扫描电镜(SEM:ScaningElectronMicroscopy)观察到激光器的腔面出现了熔化,证实激光器性能的改变是由于产生了暗线缺陷(DLD:DarkLineDifect)和灾变性光损伤(COD:CatastrophicOpticalDamage),通过分析,了解到激光器的退化主要是由器件本身的材料、结构以及后期的工艺过程所决定的,在测试器件过程中电浪涌会加速或产生突然灾变性退化,最后给出了用隔离及无吸收窗口来减少损伤的方法。
- 王乐刘云吴东江王立军
- 关键词：激光二极管可靠性
- 半导体激光器中的光学灾变被引量：5
- 2002年
- 介绍了用 (NH4 ) 2 S和P2 S5 NH4 OH处理半导体激光器的表面来避免光学灾变的方法。
- 程东明宋晓舒刘云王立军王乐曹玉莲
- 关键词：半导体激光器氮离子注入
- 高功率半导体量子阱激光器测试中的灾变性损伤被引量：3
- 2002年
- 在使用综合参数测试仪测试 80 8nm发射的半导体量子阱激光器的过程中 ,出现了一种由电浪涌所导致的灾变性损伤。通过测试的功率曲线和伏安特性曲线 ,断定激光器出现了灾变性的损伤 ,同时测试的发射光谱不再是激射光谱 ,而是由自发辐射所产生的荧光光谱。由扫描电镜 (SEM )观察到了激光器的腔面膜出现了熔化 ,证实激光器的确发生了灾变性损伤。作为对比 ,我们引用了另一种在测试中发现的快速退化现象 ,对两种退化出现的原因进行了理论上的分析 ,了解到激光器的退化主要还是由器件本身的材料、结构以及后期的工艺过程所决定的 ,在测试器件过程中电浪涌只不过会加速或产生突然灾变性退化。通过测试我们建立了一种比较简单的检验一个激光器质量可靠性的方法 。
- 曹玉莲王乐潘玉寨廖新胜程东明刘云王立军
- 关键词：量子阱激光器激光二极管
- 940nm高功率激光二极管及线阵
- 2002年
- 设计并制作出了 94 0nm无铝有源区高功率激光二极管和激光条。通过MOCVD法生长出应变量子阱材料 ,器件显示出极好的性能 ,10 0 μm条宽的激光二极管最大输出功率达80 0mW (室温 ) ,填充因子为 17%的激光二极管条发射功率达 32W。
- 王乐曹玉莲刘云廖新胜程东明王立军
- 关键词：MOCVD激光二极管阵列
