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刘盛

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：西安工业大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇纳米
  • 4篇ZNO纳米
  • 3篇水溶液
  • 3篇气体传感
  • 3篇气体传感器
  • 3篇灵敏度
  • 3篇敏度
  • 3篇高灵敏
  • 3篇高灵敏度
  • 3篇SUB
  • 2篇异质结
  • 2篇溶液法
  • 2篇水溶液法
  • 2篇气敏
  • 2篇气敏传感器
  • 2篇热还原
  • 2篇热还原法

机构

  • 7篇西安工业大学

作者

  • 7篇于灵敏
  • 7篇刘盛
  • 6篇范新会
  • 6篇杨冰
  • 4篇韦建松
  • 3篇祁立军
  • 3篇郭芬
  • 2篇雷曼
  • 2篇严文

年份

  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
高灵敏度酒敏气体传感器及其制备方法、介孔SnO<Sub>2</Sub>材料的制备方法
本发明公开了一种介孔SnO<Sub>2</Sub>纳米材料的制备方法，将3.1g的CTAB溶于40mL水中得到表面活性剂溶液；将0.11g的十二胺加入到所述表面活性剂溶液；将配制的氨水溶液加入到所述混合液中，得到模板剂溶...
于灵敏刘盛韦建松杨冰康梦迪范新会
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ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器及其制备方法
本发明涉及ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器及其制备方法。现有技术中存在因ZnO与石墨烯接触差而导致的传感器工作温度高、响应‑恢复时间长的问题。本发明采用真空抽滤结合热还原法在Ag叉指电极上制备还原石墨烯薄膜；然后在还...
于灵敏刘盛祁立军杨冰郭芬范新会
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一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法
本发明涉及一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法。目前的单元素掺杂ZnO纳米带存在着灵敏度不够高，制备时需要金属催化剂，原料成本高且会造成污染，需要高温进行操作，能耗高，安全性差的问题。本发明提供ZnO纳米带的制备...
于灵敏范新会雷曼韦建松刘盛杨冰严文
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一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法
本发明涉及一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法。目前的单元素掺杂ZnO纳米带存在着灵敏度不够高，制备时需要金属催化剂，原料成本高且会造成污染，需要高温进行操作，能耗高，安全性差的问题。本发明提供ZnO纳米带的制备...
于灵敏范新会雷曼韦建松刘盛杨冰严文
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高灵敏度酒敏气体传感器及其制备方法、介孔SnO<Sub>2</Sub>材料的制备方法
本发明公开了一种介孔SnO<Sub>2</Sub>纳米材料的制备方法，将3.1g的CTAB溶于40mL水中得到表面活性剂溶液；将0.11g的十二胺加入到所述表面活性剂溶液；将配制的氨水溶液加入到所述混合液中，得到模板剂溶...
于灵敏刘盛韦建松杨冰康梦迪范新会
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ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器及其制备方法
本发明涉及ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器及其制备方法。现有技术中存在因ZnO与石墨烯接触差而导致的传感器工作温度高、响应-恢复时间长的问题。本发明采用真空抽滤结合热还原法在Ag叉指电极上制备还原石墨烯薄膜；然后在还...
于灵敏刘盛祁立军杨冰郭芬范新会
一种NO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;光电气敏传感器的制备方法
本发明涉及气体传感器制备技术领域，具体涉及一种NO<Sub>2</Sub>光电气敏传感器的制备方法，该方法包括以下步骤：步骤一、ZnO种子层制备；步骤二、ZnO纳米墙生长；步骤三、老化制得成品。本发明所制备的NO<Sub...
于灵敏郭芬祁立军刘盛郭尤
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