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韦建松

作品数:11 被引量:4H指数:1
供职机构:西安工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省教育厅自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇纳米
  • 7篇ZNO纳米
  • 4篇气敏
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇热蒸发
  • 3篇热蒸发法
  • 3篇掺杂
  • 2篇水溶液
  • 2篇气敏传感器
  • 2篇气体传感
  • 2篇气体传感器
  • 2篇热蒸发法制备
  • 2篇灵敏度
  • 2篇敏度
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米带
  • 2篇奶油
  • 2篇金属

机构

  • 11篇西安工业大学
  • 1篇西北工业大学

作者

  • 11篇范新会
  • 11篇于灵敏
  • 11篇韦建松
  • 8篇雷曼
  • 5篇严文
  • 4篇杨冰
  • 4篇刘盛
  • 3篇陈建
  • 2篇罗宇阳
  • 1篇罗贤
  • 1篇张荣

传媒

  • 2篇西安工业大学...
  • 1篇材料保护
  • 1篇功能材料
  • 1篇第八届中国功...

年份

  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
  • 2篇2013
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Ga掺杂改性ZnO(001)面对CO气敏机理的第一性原理计算被引量:1
2014年
针对目前在理论上还未能解释清楚的ZnO的气敏机理问题,基于第一性原理结合Castep软件包研究了本征ZnO和Ga掺杂改性ZnO(001)面吸附CO分子后的电子结构和能带结构.研究结果表明:掺杂Ga后ZnO的(001)面的总电子态密度分布与掺杂前类似,带隙中未出现其他的电子态,但掺杂后ZnO表面CO吸附前后的电子态密度发生了显著的变化,价带和导带之间的间隙变小,费米能级进入导带.在此基础上,对Ga掺杂改性ZnO(001)面对CO的气敏机理进行了理论解释.
于灵敏韦建松张荣雷曼范新会严文
关键词:第一性原理ZNO气敏机理
物理热蒸发法制备Ga掺杂ZnO纳米材料的研究
2013年
采用物理热蒸发锌(Zn)粉与三氧化二镓(Ga2O3)粉的方法,制备出不同形貌的Ga掺杂纳米ZnO。利用XRD、SEM、TEM对产物的结构和形貌进行了分析。结果表明,所生成的产物是具有六方结构的单晶ZnO,其中4%Ga掺杂的ZnO纳米结构呈标枪状,与呈线状、未掺杂的ZnO形貌差异较大。在PL检测中发现Ga掺杂使光致发光绿光峰强度增加,并且4%Ga掺杂时其绿光峰强度最大。在随后的XPS检测中发现Ga掺杂使得ZnO中氧空位缺陷增多,这是PL中绿光峰出现和强度变化的原因。
雷曼范新会于灵敏陈建韦建松严文
关键词:热蒸发法ZNO纳米材料形貌光致发光
一种定向生长单晶ZnO纳米墙的水溶液制备方法
本发明涉及一种定向生长单晶ZnO纳米墙的水溶液制备方法,克服现有技术存在的多晶非定向问题。解决方案是:a.ZnO种子层制备,将摩尔比为1:1的Zn(CH<Sub>3</Sub>COO)<Sub>2</Sub>·2H<Su...
于灵敏范新会韦建松罗宇阳陶彦龙雷曼
一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法
本发明涉及一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法。目前的单元素掺杂ZnO纳米带存在着灵敏度不够高,制备时需要金属催化剂,原料成本高且会造成污染,需要高温进行操作,能耗高,安全性差的问题。本发明提供ZnO纳米带的制备...
于灵敏范新会雷曼韦建松刘盛杨冰严文
文献传递
物理热蒸发法制备Ga掺杂ZnO纳米材料的研究
物理热蒸发锌(Zn)粉与三氧化二镓(Ga2O3)粉的方法,制备出不同形貌的Ga掺杂纳米ZnO。利用XRD、SEM、TEM对产物的结构和形貌进行了分析。结果表明,所生成的产物是具有六方结构的单晶ZnO,其中4%Ga掺杂的Z...
雷曼范新会于灵敏陈建韦建松严文
关键词:氧化锌纳米材料热蒸发法光致发光
高灵敏度酒敏气体传感器及其制备方法、介孔SnO<Sub>2</Sub>材料的制备方法
本发明公开了一种介孔SnO<Sub>2</Sub>纳米材料的制备方法,将3.1g的CTAB溶于40mL水中得到表面活性剂溶液;将0.11g的十二胺加入到所述表面活性剂溶液;将配制的氨水溶液加入到所述混合液中,得到模板剂溶...
于灵敏刘盛韦建松杨冰康梦迪范新会
文献传递
一种定向生长单晶ZnO纳米墙的水溶液制备方法
本发明涉及一种定向生长单晶ZnO纳米墙的水溶液制备方法,克服现有技术存在的多晶非定向问题。解决方案是:a.ZnO种子层制备,将摩尔比为1:1的Zn(CH<Sub>3</Sub>COO)<Sub>2</Sub>·2H<Su...
于灵敏范新会韦建松罗宇阳陶彦龙雷曼
文献传递
掺杂Nd对ZnO电子结构和光学性质的影响被引量:3
2014年
研究分析了Nd掺杂对ZnO体系的电子结构和光学性质的影响;根据密度泛函理论(DFT),采用第一性原理平面波超软赝势方法,对Nd掺杂的ZnO晶体结构进行几何优化,并计算体系的能带结构、总态密度、分波态密度、光学性质;结果表明,掺杂后体系晶格常数增大,带隙变宽,费米能级进入导带,介电常数、吸收系数发生较大变化;Nd是一种有效的ZnO体系施主掺杂元素;Nd的掺入提高了ZnO体系的导电性能,改善了光学性能。
韦建松于灵敏范新会罗贤
关键词:密度泛函ZNO电子结构光学性质ND掺杂
一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法
本发明涉及一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法。目前的单元素掺杂ZnO纳米带存在着灵敏度不够高,制备时需要金属催化剂,原料成本高且会造成污染,需要高温进行操作,能耗高,安全性差的问题。本发明提供ZnO纳米带的制备...
于灵敏范新会雷曼韦建松刘盛杨冰严文
文献传递
高灵敏度酒敏气体传感器及其制备方法、介孔SnO<Sub>2</Sub>材料的制备方法
本发明公开了一种介孔SnO<Sub>2</Sub>纳米材料的制备方法,将3.1g的CTAB溶于40mL水中得到表面活性剂溶液;将0.11g的十二胺加入到所述表面活性剂溶液;将配制的氨水溶液加入到所述混合液中,得到模板剂溶...
于灵敏刘盛韦建松杨冰康梦迪范新会
文献传递
共2页<12>
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