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王少青: 作品数：19 被引量：0H指数：0; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

金智中国科学院微电子研究所
史敬元中国科学院微电子研究所
张大勇中国科学院微电子研究所
彭松昂中国科学院微电子研究所
王选芸中国科学院微电子研究所

作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域

文献类型

19篇中文专利

领域

4篇电子电信
1篇一般工业技术

主题

19篇石墨
19篇石墨烯
11篇晶体管
10篇场效应
8篇场效应晶体管
7篇电极
7篇光刻
5篇金属
5篇光学光刻
4篇电阻
4篇选择性刻蚀
4篇栅介质
4篇刻蚀
3篇自对准
3篇接触电阻
3篇光刻胶
3篇保护层
3篇触电
2篇电路
2篇电路制造

机构

19篇中国科学院微...

作者

19篇张大勇
19篇史敬元
19篇金智
19篇王少青
16篇彭松昂
8篇王选芸
3篇麻芃

年份

3篇2019
3篇2018
2篇2017
6篇2016
5篇2015

共 19 条记录，以下是 1-10

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排序方式：

通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法: 本发明公开了一种通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法，该方法包括：在石墨烯上沉积栅介质层，制备T型栅金属电极；沉积钝化保护层，利用选择性刻蚀去除栅介质上方覆盖的钝化保护层而保留T型栅金属电极足部侧墙部分的钝...; 麻芃金智史敬元王少青张大勇王选芸; 文献传递

一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法: 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括：提供高掺的Si衬底；形成绝缘层；制备背接触源漏电极；将石墨烯转移到已经形成的源、漏图形上，从而形成悬浮的石墨烯沟道；利用光刻技术及刻蚀工艺对石墨烯进行图形化；制备顶接触...; 金智王少青毛达诚史敬元彭松昂张大勇; 文献传递

金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管: 一种金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管，该制备方法包括：在衬底上光刻定义出需要金属接触的区域，在光刻胶的保护下，利用干法选择性刻蚀出用于沉积下层金属的凹槽；电子束蒸发下层金属，利用剥离工艺得到下层金属图案；转...; 金智毛达诚王少青彭松昂史敬元张大勇; 文献传递

一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法: 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：利用顶栅金属作为掩膜保护顶栅金属下方的栅介质，对栅介质层进行刻蚀，去除栅源、栅漏之间石墨烯有源区上覆盖的栅介质；再以顶栅电极为掩膜，对石墨烯进行刻蚀，破坏石墨烯...; 金智王少青毛达诚史敬元彭松昂张大勇; 文献传递

通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法: 本发明公开了一种通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法，该方法包括：在石墨烯上沉积栅介质层，制备T型栅金属电极；沉积钝化保护层，利用选择性刻蚀去除栅介质上方覆盖的钝化保护层而保留T型栅金属电极足部侧墙部分的钝...; 麻芃金智史敬元王少青张大勇王选芸; 文献传递

一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法: 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括：提供高掺的Si衬底；形成绝缘层；制备背接触源漏电极；将石墨烯转移到已经形成的源、漏图形上，从而形成悬浮的石墨烯沟道；利用光刻技术及刻蚀工艺对石墨烯进行图形化；制备顶接触...; 金智王少青毛达诚史敬元彭松昂张大勇

减小金属与石墨烯接触电阻的方法及石墨烯FET器件: 一种减小金属与石墨烯材料接触电阻的方法及石墨烯FET器件，该方法包括：提供绝缘衬底；在衬底上制备或转移石墨烯材料；在石墨烯上图形化源端和漏端；蒸发一层非常薄的金属层；在薄层金属的掩膜下，对金属下方的石墨烯进行缺陷化处理；...; 金智王少青毛达诚史敬元彭松昂张大勇; 文献传递

一种对机械剥离石墨烯表面进行原子级清洁处理的方法: 本发明公开了一种对机械剥离石墨烯表面进行原子级清洁处理的方法，该方法是将机械剥离得到的石墨烯结合于目标基底上，然后将结合有石墨烯的目标基底浸泡于有机溶剂四氢呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酯的至少一种之中，溶解石墨烯表面的残胶，...; 金智彭松昂史敬元王少青王选芸张大勇; 文献传递

石墨烯场效应管的制备方法及形成的石墨烯场效应管: 本发明提供一种石墨烯场效应管的制备方法及形成的石墨烯场效应管，所述方法包括：在衬底上制备或转移石墨烯材料；在所述石墨烯材料上制备源电极及漏电极；采用光学光刻的方式使沟道区的石墨烯材料形成多个石墨烯条带；在所述多个石墨烯条...; 金智王少青毛达诚史敬元彭松昂张大勇; 文献传递

一种采用自对准工艺制作石墨烯场效应晶体管器件的方法: 本发明公开了一种采用自对准工艺制作石墨烯场效应晶体管器件的方法，该方法包括：在石墨烯上沉积栅介质层，制备栅金属电极；沉积钝化保护层，利用选择性刻蚀去除栅介质层上方的钝化保护层而只保留栅金属电极侧墙部分的钝化保护层；对栅介...; 麻芃金智史敬元张大勇王少青王选芸; 文献传递

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